高能原电子能量与金属有效真二次电子发射系数关系.pdfVIP

　第 16 卷 　第 8 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 8 　 　2004 年 8 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS Aug. ,2004 　 文章编号 (2004) 高能原电子能量与金属的有效真二次 电子发射系数的关系 谢爱根 , 　裴元吉 , 　孙红兵 , 　王 　荣 ( 中国科学技术大学 国家同步辐射实验室, 安徽 合肥 230029) 　　摘 　要 : 　提出有效真二次电子发射系数的概念 ,并从理论上论述了高能原电子的能量与金属的有效真二 次电子发射系数的关系 ,然后用实验数据证明了该理论的正确性 ,最后对结果进行了讨论。得到了如下结论 : 不同入射能量的高能原电子轰击同一个金属发射体时 , 它们的有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能 量之积近似为一个常量 ,有效真二次电子发射系数与高能原电子入射能量成反比。 　　关键词 : 　二次电子 ; 　入射能量 ; 　金属 ; 　有效真二次电子发射系数 　　中图分类号 :O346. 1 　　　　文献标识码 :A 　　在具有一定能量的原电子轰击下 ,从物体表面发射电子的现象称为二次电子发射。通常把能量小于 50eV 的二次电子定义为真二次电子 ,把能量大于 50eV 的二次电子定义为背散射二次电子 ,背散射二次电子数与原 电子数之比定义为反射系数,真二次电子数与原电子数之比定义为真二次电子发射系数 ,真二次电子数与原电 ( ) 子中射入发射体内的原电子数 除去通过弹性散射或非弹性散射返回的原电子数 之比定义为有效真二次电子 发射系数。本文将要论述高能原电子的入射能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系。 1 　高能原电子入射能量与金属的有效真二次电子发射系数的关系 1 . 1 　金属的二次电子发射的主要物理过程[ 1 ] 1. 1. 1 　原电子射入发射体并激发产生内二次电子的过程 ( ) 　　一个射入发射体内 没有通过弹性散射或非弹性散射返回 的原电子激发的内二次电子数与它在单位路程 上损失的能量 d W / d x 成比例 ,亦即 p d W p 1 ( ) ( ) N x , Wp = - d x ε 1 ε 式中 : 是激发一个内二次电子所消耗的平均能量 ; Wp 和 x 分别是高能原电子的能量和行程。 1. 1. 2 　激发的内二次电子从激发地点向发射体表面运动并逸出表面的过程 　　内二次电子向表面运动时 ,损失能量 , 内二次电子到达表面并逸出的几率可用公式 α ( ) -