多孔硅对硅中缺陷的吸除效应3.PDFVIP

　第 19 卷第 12 期　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 12　 V o l N o 　1998 年 12 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 多孔硅对硅中缺陷的吸除效应 黄宜平　竺士炀　包宗明　何　奕　钟回周　吴东平 ( 复旦大学电子工程系　上海　200433) 摘要　 研究了在硅片背面采用阳极化方法形成的多孔硅层对硅片中浅底蚀坑和氧化层错的 吸除效应. 结果表明, 该多孔硅层对硅中的缺陷形成有明显的吸除作用. 采用XT EM 分析了多 孔硅和衬底硅之间的界面特性, 发现在界面处存在一个“树枝”状无序结构的过渡区, 分析认为 该过渡区是一个吸除中心. EEACC: 0580, 0590, 2550E 1　引言 在无位错拉晶技术实现后, 在 CZ 硅单晶中存在的缺陷主要是微缺陷, 其在硅片氧化过 程中会转化为氧化层错. 这些缺陷可作为杂质沉淀核心, 使重金属等有害杂质聚集或沉淀, 使少数载流子寿命和迁移率下降. 为了减少硅片表面有源区的缺陷和杂质, 人们提出了多种 吸除技术. 一类吸除方法是在硅片背面研磨或离子注入形成损伤层, 或形成氮化硅、多晶硅 [ 1 ] 层等 , 这类方法的目的是在硅片的背面形成损伤层诱生出位错或引入弹性应力, 为硅的自 隙原子及硅中的其它杂质提供沉积中心, 达到吸除杂质和缺陷的目的. 多年来, 人们对在H F 溶液中, 通过阳极氧化方法形成的多孔硅进行了许多研究, 特别 [ 2 ] [ 3 ] 是提出采用多孔硅形成 SO I 结构 以及发现多孔硅光致发光现象 以后, 对多孔硅的形成 机理及应用作了更为深入广泛的研究. ( ) 本文系统地在多孔硅对硅中缺陷的吸除技术方面进行了研究. 初始硅片有 P 型 111 ( ) 晶向和N 型 100 晶向两种. 结果发现硅片背面形成的多孔硅对硅片中的“雾状”浅底蚀坑 的形成有明显遏制作用, 从而对氧化诱生的层错有较大的吸除作用. . . 等人也曾 S T Sh ich ( ) 观测到了多孔硅对氧化层错的吸除作用, 但仅对 P 型、 100 晶向作了研究, 且未报道多孔 [ 4 ] 硅对浅底蚀坑的吸除作用 . 本文用XT EM 技术分析了多孔硅和硅衬底的界面特性, 发现 在界面存在一个多孔硅和单晶硅互相交叉的“树枝状”结构的过渡区. 分析认为, 在高温处理 过程, 这“树枝状”的过渡区是一个吸除中心, 它会起到减少硅中浅底蚀坑和氧化层错的作 用. 　 国防科技预研跨行业基金资助项目, 编号: 94 8. 4. 4. 0702 J