微电子制造科学与工程.PDFVIP

哈尔滨工业大学(威海) 材料科学与工程学院 微电子制造科学与工程 Chapter 5 /第五章 Ion Implantation /离子注入 王华涛 办公室：A楼208 Email：wanghuatao@ Tel ：0631-5297952 更新日期2017年3月19 日 1 离子注入 内容 –离子注入机的开发背景 –离子注入机的原理和结构 –投影射程 –沟道效应及避免 –注入损伤及修复 3 问题引出 热扩散的特点 – 1. 最大浓度受固溶度限制 – 2. 分布由时间和扩散速率限制 通过热扩散，如何实现微量掺杂？ – 减小掺杂气体浓度，即与大量的惰性气体混合 该工艺的弊端？ 1. 难于控制 2. 对于双极性晶体管的基极以及MOSFET的沟道需要 严格控制掺杂浓度，有难度 离子注入应运而生 4 离子注入的特点 电离的掺杂原子由静电场加速，打到晶体表面 掺杂的深度 – 由静电场来控制 – 离子能量范围，1～200keV，高者可达几兆电子伏 掺杂剂量 – 由离子电流来控制 掺杂范围 – 1011～1018/cm2 5 离子注入区域的控制 对掺杂区域无要求 – 则是均匀注入 对部分区域进行掺杂， – 则使用掩模 – 或聚焦离子束技术，focused ion beam techniques • 将离子束汇聚成斑点，可进行局部注入 6 离子注入的历史和弊端 历史 – 20世纪60年代样机研究 – 1973年第一台商用离子注入机面试 – 1980年，广泛采用 弊端 – 对晶格有损伤，损伤无法完全消除 – 很深、很浅处的注入都难以实现 – 生产率较低，热扩散可同时运行200片晶圆片 – 成本高，一台最新式注入机，$ 4M 下一代扩散设备？Any idea ？ 7 离子注入机的组成 从机理上推测离子注入设备的主要结构？ 离子注入机包含5部分 离子源 加速管 质量分析仪 （先加速后分离， 或先分离后加速） 扫描系统（控制XY 的位置） 工艺室（终端台） 8 离子注入机结构 将含杂质元素 气体用电弧放 电电离化，加 电场引出离子 用质量分析仪，仅选择所需杂质元素通过 将杂质元素离子经加速器加速到必要能量 为使上述离子束均匀入射到半导体表面，用电子透镜使 束流聚焦，同时，进行X-Y位置操作，将杂质元素打进 硅片表面 9 离子注入机原理 1.待电离气体；2.放电电源；3.