第6章 集成电路器件与SPICE 模型.ppt

集成电路设计 主讲教师曾凡太 E-mail: zftforcanada@ 2011年 第6章 集成电路器件及SPICE模型 SPICE 模型 SPICE（Simulation program with integrated circuit emphasis）是最为普遍的电路级模拟程序，各软件厂家提供提供了Vspice、Hspice、Pspice等不同版本spice软件，其仿真核心大同小异，都是采用了由美国加州Berkeley大学开发的spice模拟算法。 SPICE 模型 以元器件的工作原理为基础，从元器件的数学方程式出发，得到的器件模型及模型参数与器件的物理工作原理有密切的关系。SPICE 模型是这种模型中应用最广泛的一种。其优点是精度较高，特别是随着建模手段的发展和半导体工艺的进步和规范，人们已可以在多种级别上提供这种模型，满足不同的精度需要。缺点是模型复杂，计算时间长。 6.1 无源器件结构及模型 6.1.1 互连线 互连线设计应该注意以下方面： 大多数连线尽量短 最小宽度 保留足够的电流裕量 多层金属 趋肤效应和寄生参数（微波和毫米波） 寄生效应 6.1.2 电阻 实现电阻有四种方式： 1.晶体管结构中不同材料层的片式电阻（不准确） 2.专门加工制造的高质量高精度电阻 3.互连线的传导电阻 4.有源电阻 图 (a)单线和U-型电阻结构 (b)它们的等效电路 对于理想情况，Oˊ点的交流电阻应为无穷大，实际上因为沟道长度调制效应，交流电阻为一个有限值，但远大于在该工作点上的直流电阻。在这个工作区域，当漏源电压变化时，只要器件仍工作在饱和区，它所表现出来的交流电阻几乎不变，直流电阻则将随着漏源电压变大而变大。 6.1.3 电容 在高速集成电路中，有多种实现电容的方法 1）利用二极管和三极管的结电容； 2）利用图6.5(a)所示的叉指金属结构； 3）利用图6.5(b)所示的金属-绝缘体-金属(MIM)结构； 4）利用类似于图6.5(b)的多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构； 图6.5 (a)叉指结构电容和(b)MIM 结构电容 电容 平板电容公式 高频等效模型 自谐振频率 f0 品质因数 Q = f0/(f2-f1) 6.1.4 电感 引言 集总电感 式中：ri=螺旋的内半径， 微米， r0=螺旋的外半径，微米， N=匝数。 电感 传输线电感 获得单端口电感的另一种方法是使用长度ll/4λ波长的短电传输线(微带或共面波导)或使用长度在l/4λ ll/2λ范围内的开路传输线。 6.1.5 分布参数元件 集总元件和分布元件 随着工作频率的增加，一些诸如互连线的IC元件的尺寸变得很大，以致它们可以与传输信号的波长相比。这时，集总元件模型就不能有效地描述那些大尺寸元件的性能，应该定义为分布元件。 微带线 TEM波传输线的条件 微带线设计需要的电参数主要是阻抗、衰减、无载Q、波长、迟延常数。 阻抗计算 微带线的衰减α由两部分组成： 导线损耗和介质损耗 形成微带线的基本条件是，介质衬底的背面应该完全被低欧姆金属覆盖并接地，从而使行波的电场主要集中在微带线下面的介质中。 共面波导(CPW) CPW传输TEM波的条件 CPW的阻抗计算 由ZL计算CPW的宽度W: 对应于厚衬底 / 薄衬底有效介电常数有变化 CPW的衰减计算 相对于微带线，CPW的优点是： 1）工艺简单，费用低，因为所有接地线均在上表面而不需接触孔。 2）在相邻的CPW之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。 3）比金属孔有更低的接地电感。 4）低的阻抗和速度色散。 CPW的缺点是： 1）衰减相对高一些，在50GHz时，CPW的衰减是0.5dB/mm; 2）由于厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器的实现。 6.3 双极晶体管电流方程及SPICE模型 图6.10 EM直流模型 由于这种EM模型将电流增益作为频率的函数来处理，对计算晶体管存贮效应和瞬态特性不方便，所以改进的EM模型用了电荷控制观点，即增加电容到模型中。并进一步考虑到发射极、基极和集电极串联电阻，以及集成电路中集电结对衬底的电容，于是得到EM2模型。 图6.11 EM2模型 图6.12 EM小信号等效电路 表6.2 双极型晶体管部分模型参数在SPICE 中的符号名称 GP模型是1970年由H．K．Gummel和H．C．Poon提出的。 GP模型对EM2模型在以下几方面作了改进： 1.直流特性：反映了集电结上电压的变化引起有效基区宽度变化的基区宽度