Si含量对经时效处理的C72500合金组织和性能的影响.pdfVIP

程中第二相析出更细小弥散，减弱了对电子的散射 理的断后伸长率要高一些。可知，合金的断后伸长 能力，因此电导率更高。添加0．30％Si合金的电导 率随si含量的增加而不断降低，这是因为合金经冷 率为 16．0％IACS，比未添加硅 的合金 的电导率 轧后，合金中储存的畸变能增大，经时效后，合金中 (11．4％IACS)提高了40．4％。随着 si含量加入的 的畸变能得到释放，因此试验合金的断后伸长率要 增加，合金的抗拉强度不断升高。800oCX2h固溶 比冷轧时大。向C72500合金 中加入一定量的 si 处理的合金经过400oC×4h时效后，合金的抗拉强 后，si可以明显细化晶粒，对合金塑性有一定的提 度明显高于时效前经800℃ x1h固溶处理合金的 高；在时效过程中析出的细小 Ni：si第二相在基体 抗拉强度。这主要是由于合金在固溶处理阶段 ，延 中呈弥散分布的状态，并能与基体保持共格，同时细 长保温时间有利于溶质原子固溶到基体中，导致了 小的第二相 NiSi：在 晶界处 占据形核位置 ，弥散分 合金在时效过程中，相变的驱动力增大，第二相析出 布在基体中，对晶界的钉扎作用增强，增大了阻碍位 就越容易进行，在基体中形成第二相时所需的临界 错运动的阻力 。 。因此合金在拉伸过程中，位错 形核半径更小、数量更多，合金的强化效果更好。同 发生运动遇到细小的析出相颗粒时，位错需要通过 时，当固溶处理温度一定，固溶保温时间为2h合金 其阻碍，导致位错做功多，阻力就会增大，滑移系开 的平均晶粒尺寸 比固溶 1h的要大，微裂纹穿越 晶 动就会变得困难 ，当位错采用切过机制通过第二相 ≈鲁苣 氍 界时消耗的能量小，合金强度提高 。添加适量Si 颗粒时，遇到的第二相颗粒半径越大，位错切过它的 后，能与 Ni形成 M si与 Ni。，si等新相，其 中 阻力就越大，滑移系就更难移动，晶粒相对滑动变得 Nisi相在晶界处占据形核位置，弥散分布在基体 困难，合金的塑性就越低 ¨ j。随si含量的不断增 中，增大了阻碍位错运动的阻力；随si添加量的增 加，在基体中形成的第二相数量也相应增加，对位错 加，形成的Ni，si相数量增加，对位错运动的阻碍作 运动的阻力进一步增强，因此合金塑性随si含量的 用增强 ，所 以合金 的抗拉强度升高 ，即试验合金 增加而不断降低。 800cc固溶处理保温2h固溶处理后 比保温 1h的 合金经400oC×4h时效处理的抗拉强度高，添加 0．30％Si合金的抗力强度为 826MPa，比未添加 si 的合金的强度 (641MPa)提高了28．9％。 U S 曲 Si含量(质量分数，％) 图6 Si含量对 C72500合金经400℃X4h时效后断后 伸长率的影响 Fig．6 EffectofsiliconcontentonelongationoftheC72500 aIloyagedat400℃ for4h 图5 Si含量对时效处理后 C72500合金 电导率和 抗拉强度的影响 3 结论 Fig．5 Effectofsiliconcontentonconductivityand