原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
反转胶liftOff工艺制备堆栈电感
VoL
第16卷第2期 功能材料与器件学报 16，No．2
OFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES
2010年4月 JOURNAL Apr．，2010
文章编号：1007—4252(2010)02—0109—05
反转胶lift—Off工艺制备堆栈电感
何大伟，程新红，王中健，徐大朋，宋朝瑞，俞跃辉
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室上海200050)
摘要：本文采用反转胶lift—og工艺，对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间
对金属剥离效果的影响，制备出最小线宽4斗m，最小间距4斗m，厚度为1斗m，线宽误差小于0．51xm
的金属线条，并最终实现具有三层金属的堆栈电感，经光学显微镜和台阶仪观测表明，器件外观良
好成品率高。
关键词：堆栈电感；lift—off；金属剥离；反转胶；SOI
中图分类号：TB34文献标识码：A
Fabricationofstackedinductorinversion liR——off
by photoresistprocess
HE Yue—hui
Da．wei，CHENG Zhao—rui，．YU
Xin—hong，WANGZhong-jian，XUDa-peng，SONG
ofFunctionMMaterialsfor Institute
(StateKeyLaboratory Informaties，Shanghai
of andInformation of
Microsystem Technology，ChineseAcademy
Sciences，Shanghai200050，China)
inversion
this stackedinductorswerefabricatedwiththreemetal bythe
Abstract：Inpaper，the layers
the ofmetal selectionand
lift—off effect depositionmethod、photoresistdrying
photoresistprocess，and
withtheminimummetallinewidthof4 minimum
timewere inductors pm，the space
analyzed，finally，the
of andthemetalthicknessof were deviceshave with
4斗m 1斗m fabricated，The goodappearancehighpro-
observedthe
文档评论（0）