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纳米二氧化硅抛光液对低k材料聚酰亚胺的影响_胡轶
852 2011 (42)
*
k
胡 轶, 刘玉岭, 刘效岩, 王立冉, 何彦刚
( , 300130)
: 以3 英寸的P 型111硅片为衬底, 经过旋
2
涂固化制备 介电常数( k) 材料聚酰亚胺对聚酰
亚胺进行化学机械抛光( CMP) ,考察实验前后, 纳米 3 P 111,
二氧化硅抛光液对 k 材料的结构和介电常数实验 , k
中应用了2 种纳米二氧化硅抛光液: 一种是传统的铜 , ,
抛光液; 另 一种为新型的阻挡层抛光液通过扫描电 SPINC AT ER M DEL P6700, 2000r/ min,
镜(SEM) 和介电常数测试结果显示,2 种抛光液对 k 80 2h, 110 1h, 180
材料, 不论是在结构还是电特性方面的影响都不大 2.5h,, 40min
经铜抛光液抛光后, k 值从最初的3.0 变到3. 08; 经阻 , ( CMP)
挡层抛光液抛光后, k 值从最初的3. 0 变到3. 28实 AlpsitecE460-12,
践证明,这两种纳米二氧化硅抛光液可以应用于集成 Rohm Haas IC 1000 Pad
电路 k :
: ; ;
; , pH 9.5;
: TN406 : A , pH 7. 6
: 1001-9731(2011) -0852-03 k CMP 1
, Moisturi-
1
zer3000H ST EM k
, , Agilent T echnologies B1500A
45nm , Semiconductor Device Analyzer,
[ 1-4]
,
1
, , T able 1 Polishing parameter
, 抛光参数 抛光 水抛
[5-7]
IC , ( CMP) 抛光头/ 盘转速 30/ 20r/ min 30/20r/min
工作压力 45mdaN/cm2 40mdaN/ cm2
[ 8, 9]
抛光液流量 62.5mL/min 62. 5mL/ min
, , 抛光时间 30s 10s
,,
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