V掺杂ZnO性质的第一性原理研究.pdfVIP

第27卷 第4期 山东 建 筑 大 学 学 报 Vo1．27 No．4 2012正 8月 JOURNAL OF SHANDONG JIANZHU UNIVERSnY Aug． 2012 文章编号：1673—7644(2012)04—0386—40 V掺杂 ZnO性质的第一性原理研究 王丽丽，季燕菊，付刚 (山东建筑大学 理学院，山东 济南 250101) 摘要：采用第一性原理平面波超软赝势，计算了纤锌矿ZnO和不同浓度的V掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度 和分波态密度。计算表明，V的掺杂导致ZnO晶格发生了微小膨胀，禁带宽度变窄，体系引入的杂质能级靠近 导带底，费米能级进入了导带并且穿插在杂质能级中，自旋态密度分布具有不对称性，自旋向上的电子数比自 旋向下的电子数多，对态密度进行积分后发现V掺杂ZnO体系表现出净磁矩 ，具有磁性。当V掺杂后，V-3d态 电子与O-2p态电子的态密度分布大部分重合，形成了pd杂化。 关键词：密度泛函理论 ；第一性原理；V掺杂ZnO 中图分类号：O471．5 文献标识码：A First-principlestudyonpropertiesofV-dopedwurtziteZnO WANGLi—li，jIYan-ju，FUGang (SchoolofScience，ShandongJianzhuUniversity，Jinan250101，China) Abstract：Thebandstructure，totaldensityofstatesandpartialdensityofstatesofpureandV—doped wurtziteZnO havebeeninvestigatedbyusingthefirst—principleuhrasoftpseudopotential approachof theplanewave．ThecalculationindicatesthatthelatticeofZnO hasalittleinflation，andthatthe bandgapisreducedbyV doping．Th eimpurityenergylevelliesnearthebottom oftheconduction band，theFermieneryg levelentersintotheconductionbandandtheimpurityeneryg leve1．Thespin densityofstatesisasymmetric，thenumberofspin—upelectronsismorethanthenumberofspin—down electrons．V—dopedwurtziteZnO system showsnetmagneticmomentandismang etizedbyintegrating thedensityofstates．Th ereisaclearoverlapbetweenV一3dandO-2p statesdensitybyV doping， fomr inghybridpd states． Keywords：densityfunctionalitytheory；firstprinciple；V—dopedZnO 温下的禁带宽度为3．2eV_1J，在透明导电薄膜、光 电 0 引言 器件等领域有广泛的应用 J。在 ZnO中掺杂不 同的元素，能改变 ZnO的结构和带隙宽度，使掺杂 近些年来，纤锌矿ZnO的 Ⅱ一Ⅵ族直接带隙宽 ZnO具有新的特性。