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第二章 真空系统 在半导体的制程设备里，真空系统（VacuumSystems）的应用可 以说是非常的广泛。从薄膜沈积（Thin Film Deposition），干蚀刻 （DryEtching），离子植入（IonImplantation）及微影（Lithography） 等主要的制程设备，到扫描式电子显微镜（Scanning electron Microscope）和二次离子质量分析仪（Secondary Ion Mass Spectroscope）等半导体表面分析仪器，都需要真空系统来维持这些 价格昂贵的机器于适合的环境（指压力）下操作。 溅镀法在进行沈积之前，为了防止其他杂质的影响，通常都先以 -6 高真空度帮浦，将反应室内的压力降到10 Torr以下。接着再通入 原子质量合宜的钝气，在压力约1～10mTorr的环境中，进行金属的 溅镀。 第一节 真空之定义 英文“Vacuum”，表示“Empty”或“Nothing”，空无一物，是佛 家的境界，但在真空技术里，真空系针对大气而言，表示一特定空间 内的部份气体被排出，其压力小于一大气压，通常称此空间为真空或 真空状态。我们知道在海面上标准的状态下，一莫耳气体占有22.4 升的体积，气体对气壁碰撞会产生压力，其大小为760毫米汞柱或称 760Torr，当容器内之气体被抽除，气体分子数目减少而处于真空状 态。 在真空技术中，一密闭容器虽保持真空，但并非“真正的空”， 也就是说真空并不表示里面全无气体分子;事实上以目前技术所及的 超高真空状态，其中仍有为数可观的气体分子存在。 第二节 真空之分类 （一）真空技术中，将真空依压力大小分为四个区域如下: 1.粗略真空（Rough vacuum） 760～1 Torr -3 2.中度真空（Medium vacuum） 1～10 Torr -3 -7 3.高真空（High vacuum） 10 ～10 Torr -7 4.超高真空（Ultra-high vacuum） 10 Torr 以下 （二）真空的产生可分为自然与人造两种，所谓的人造真空最早者 如倒立的玻璃管水银柱如图2-1所示。 典型人造真空系统如图2-2所示，基本上包括真空邦浦，真空 阀门，真空量测计、真空罩、真空管路、各种零组件。 而自然真空原本就存在于自然界，离地球表面越高，空气越稀 薄，压力越低，在离第100公里的高度为高真空，在400公里则已 是超高真空状态了如图2-3所示。 图2-1人造真空型式-托里拆利真空 图2-2人造真空系统示意图 （三） 大气与大气压力 前面提到真空系针对大气而言，地球上之人造真空设备，在邦 浦抽气前，真空器内充满了大气，使用过程中，又为大气所环绕， 因此了解大气之基本物理与化学性质是真空技术所必须。在常温 图2-3自然真空高度与压力关系实例 图2-4大气与真空状态下之分子数目 时，地球表面之气体以高速作随意方向的运动，因此在一密闭容器肉， 气体分子与气体分子问及气体分子与器壁间随时有碰撞作用发生，其 与器壁碰撞所造成的动量改变，使器璧承受一压力，在大气的情况下， 压力的大小为14.7psi或者760 Torr ，就是我们通称的一大气压 （1atm），如图2-4（a）所示。如果把容器内的气体用邦浦抽气，则 压力下降，气体分子数目变少，如图2-4（b）示。 常见的所谓标准大气压，其定义为:在0℃时，大气施于760毫 3 米水银柱的压力，水银柱之密度为13.595 g/m。 一标准大气压值随应用场合之不同而使用不同的压力单位，常见 者如下示: 1标准大气压力=l atm =760 mmHg