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空位缺陷下石墨烯纳米带的电子结构性质研究 班 级：电子信息科学与技术一班 学 号：1108020129 姓 名：向艳红 指导老师：盛威 论文结构 选题背景 研究方法及软件介绍 计算模型及结果分析 总结 选题背景 研究方法及软件介绍 研究方法： 本论文用基于密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数（NEGF）的第一性原理方法，对空位缺陷下石墨烯纳米带的电子结构性质做了系统的研究。 ATK软件： 计算模型及结果分析 锯齿型石墨烯纳米带 锯齿型石墨烯纳米带 锯齿型石墨烯纳米带 扶手椅型石墨烯纳米带 扶手椅型石墨烯纳米带 扶手椅型石墨烯纳米带 总 结 本文主要研究了空位缺陷下石墨烯纳米带的电子结构和输运性质。运用软件包ATK计算了完整石墨烯纳米体系与有空位缺陷的石墨烯纳米体系的能带结构和态密度。通过比较了完整石墨烯纳米体系与有空位缺陷的石墨烯纳米体系的能带图和态密度图，得出结论： 对于锯齿型和扶手椅型石墨烯纳米带来说，空位缺陷的引入破坏了其金属性，使半导体性增强。 谢 谢！ * * 1 石墨烯纳米带 锯齿型石墨烯纳米带通常是金属性，而扶手椅型石墨烯纳米带则是金属性或半导体性，这些性质在纳米器件制备中有重要的应用价值。 锯齿型石墨烯纳米带 扶手椅型石墨烯纳米带 ATK软件采用非平衡格林函数结合密度泛函理论（DFT）来进行电子输运性质的计算。VNL是ATK对应的图形操作界面，如下图所示。 锯齿型石墨烯纳米带 扶手椅型石墨烯纳米带 研究石墨烯纳米带电子结构性质 空位 缺陷 计算模型： (a) (b) (c) (d) （a）图为本征锯齿型石墨烯纳米带结构图 （b）图为去掉6个碳原子的锯齿型石墨烯纳米带结构图 （c）图为去掉12个同位置碳原子的锯齿型石墨烯纳米带结构图 （d）图为去掉6个不同位置的碳原子的锯齿型石墨烯纳米带结构图 (a） (b) (c) (d) 左边的能带图与上述的结构图一一对应。 （a）图中能带带隙为0，表示本征锯齿型石墨烯具有良好的导电性 （b）、（c）、（d）中的能带带隙比（a）图中的大且不为0，半导体性质增强。表明空位缺陷的引入破坏了其金属性，使半导体性增强。 费米能级附近，本征石墨烯的态密度峰值比去掉6个碳原子的石墨烯态密度峰值大，这与其能带结论相符；从去掉12个同位置碳原子的石墨烯态密度图看，峰值更小；从去掉6个不同位置的石墨烯态密度图来看，在费米能级附近只出现一个波峰，但费米能级附近出现许多0值，说明不同位置的空位缺陷对石墨烯纳米体系的影响不同。 (b） (a） (c） (d） 计算模型： （a）图为本征扶手椅型石墨烯纳米带结构图 （b）图为去掉6个碳原子的扶手椅型石墨烯纳米带结构图 （c）图为去掉12个同位置碳原子的扶手椅型石墨烯纳米带结构图 （d）图为去掉6个不同位置的碳原子的扶手椅型石墨烯纳米带结构图 (a) (b) (c) (d) (a) (b) (c) (d) 左边的能带图与上述的结构图一一对应。 （a）图中能带带隙为0，表现为金属性质。（b）、（c）、（d）图中能带带隙大于0，表明空位缺陷的引入增强了其半导体性质。 费米能级附近，(b)、（c）、（d）图中的态密度峰值整体比（a）图中的态密度峰值小，半导体性质增强。 (a） (b） (c） (d） *