中级电工证考试试题精华版.docVIP

一、单一选择题： 1．金属导体的电阻值随着温度的升高而（A：增大 ）。 2．纯电感电路的感抗为（B：ωL ）。 3．在正弦交流电阻电路中，正确反映电流电压的关系式为（C：I=U/R ）。 4．在有些情况下为了缩短晶闸管的导通时间，加大触发电流（两倍以上）这个电流称为（B：强触发电流 ）。 5．三相负载接在三相电源上，若各相负载的额定电压等于电源线电压1/ ，应作（ A：星形）连接。 6．单相正弦交流电路中有功功率的表达式是（ A：UI） 7．纯电容交流电路中电流与电压的相位关系为电流（ A：超前90°）。 8．两个正弦量为u1=36sin(314t+120°)V,u2=36sin(628t+30°)V，则有（ C：不能判断相位差）。 9．射极输出器的输出阻抗（ B：低 ），故常用在输出极。 10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（ C：0.45U2 ）。 11．三相变压器的连接组别是表示（ A：原付边线电压的相位关系 ）。 12．射极输出器的电压放大倍数约等于（ B：1 ）。 13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（ C：越低 ）。 14．某正弦交流电压的初相角中，φU=π/6，在t=0时，其瞬时值将（ B：大于零 ）。 15．已知msinwt第一次达到最大值的时刻是0.005s，则第二次达到最大值时刻在（ B：0.025s ）。 16．U=311sin（314t-15°）伏，则U=（ D：220∠-15°）伏。 17．实际电压源与实际电流源的等效互换，对内电路而言是（ B：不等效 ）。 19．任一条件具备都可以得到肯定的结论，这是（B：或 ）逻辑。 20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（ C：电流负反馈 ）。 21．Z=A+B是（ D：或非 ）逻辑。 22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（ C：共集电极 ）放大电路。 23．结论和给定条件相反的逻辑是（ D：非）。 24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（ A：NPN ）型。 25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（ B：电流负反馈 ）。 26．可控硅的正向阻断是（ B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压）。 27．一三相对称负载，三角形连接，已知：相电流IBC=10∠-10°安，则线电流I=（ D：17.3∠80°）安。 28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（ ）。 29．所有条件都具备，才有肯定的结论，这是（ C：与 ）逻辑。 30．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（ B：0~0.9U2 ）之间连续可调。 31．已知：I=-14.1sin100πtA，其电流相量I=（ D：10∠-180°）A。 32．可控硅导通条件是(B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压 )。 33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，处于（B：截止 ）工作状态。 34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态C：放大）。 35．已知e=311sin (314t+5°)V，其相量E=（ D：220∠+175° ）。 36．戴维南定理只适用于（ C：内部为线性含源电路 ）。 37．可控硅有（C：3个 ）PN结组成。 38．电容器的电流I=CΔUC/Δt，当UC增大时，电容器为（ A：充电过程并吸取电能转换为电场能）。 39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（ A：NPN ）型。 40．知：电流I=6+j8，电源频率为50Hz，其瞬时值表达式为I=（A：10 sin (314t+53.1°) ）。 41．共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是（ B：晶体管电流放大转变速器成电压放大 ）。 42．三相电源Y连接，已知UB=220∠-10°伏，其UAB=（ C：380∠140°）伏。 43．某正弦交流电压的初相角φ=-π/6，在t=0时，其瞬时值将（ B：小于零 ）。 44．发生LC串联谐振的条件是（ C：ωL=1/ωC ）。 45．若电路中某元件两端电压u=100 sin (100πt+50°)V，电流I=10 sin (100πt+140°)A，则该元件是（ C：电容 ） 46．阻容交流电路中电流与电压的相位关系是电流（ D：超前0~90°）电压。 二、多选题： 1．在正弦交流电路中，下列公式正确的是（ B：Ic=jwcU D：XC=1/wc E：QC=UIsinφ。 2．基本逻辑运算电路有三种，即为（ B：与门 C：非门 E：或门）电路。 3．对于三相对称交流电路，不论