数字电子技术—08第七章半导体存储器.pptVIP

7.5 用存储器实现逻辑函数 1. ROM的地址输出为二进制译码，既输出为地址变量的最小项 2. 存储矩阵根据其存储内容，实现数据输出为各最小项的或运算 例子7.5.2 试用ROM实现如下逻辑函数 都转换为4变量最小项之和的形式 固定的 m0 m15 可变的 m15 m14 m10 m7 m6 m4 m3 m2 mi 0000 其它 0001 1111 0110 1110 0100 1010 1100 0111 1100 0110 0010 0100 1000 0011 1001 0010 Y1 Y2 Y3 Y4 ABCD 存储内容 7.5.2 可编程逻辑器件—PLD (Programmable Logic Device) 可编程逻辑器件（PLD，Programmable Logic Device）是一类半导体集成电路，区别于集成门电路等通用集成电路和专用集成电路（ASIC，Application Specific Integrated Chip），PLD内部逻辑在制作芯片的时候是没有定义的、或者说是空白的。PLD芯片制造后，其内部主要包括可以实现逻辑功能的各种资源，比如门电路、触发器、连线等。在一些功能更高级的PLD内部还集成了锁相环（PLL，Phase Lock Loop）、高速收发器等等资源。 PLD设计流程图 PLD按照编程实现原理不同可分为两类：基于乘积项（PT，Product Term）的PLD和基于查找表（LUT，Look Up Table）的PLD。 1. 基于乘积项的PLD (CPLD) Y=m1+m3+m4+m7 “●”表示固定连接关系，“×”表示可编程连接关系，交叉点什么的都没有的表示不连接。 2. 基于查找表的PLD (FPGA) Y=m1+m3+m4+m7 3. CPLD结构原理图 4. CPLD宏单元原理图 5. FPGA结构图 6. FPGA逻辑单元LE原理图 6. I/O单元原理图 题[7-3] 某台计算机内存设置为32位地址线，16位并行数据输入/输出，问其最大存储量是多少？ 最大存储容量＝232×16b（bit，比特）＝236b ＝233B（Byte字节）＝223kB＝213MB＝23GB＝8GB 寻址能力或寻址空间是系统性能参数之一 第7章 习 题 题[7-4] 试用4片4k×8位的RAM芯片组成16k×8位的RAM存储器。 * 第七章 半导体存储器 7.1 概述 半导体存储器是固态存储器SSD (Solid State Drives) ，具有存储密度高，体积小，容量大，读写速度快，功耗低等优点! 硬磁盘 固盘 光盘 分类： 掩模ROM 可编程ROM (PROM--Programmable ROM) 可擦除可编程ROM (EPROM--Erasable PROM) 随机存储器RAM (Random Access Memory) 静态存储器SRAM (Static RAM) 主要用于高速缓存和服务器内存 动态存储器DRAM (Dynamic RAM) 按功能特点 EEPROM (Electrically EPROM)/E2PROM 只读存储器ROM (Read- Only Memory) Flash Memory (快闪存储器，如U盘) SDRAM, DDR-SDRAM等 非挥发存储器（Non-Volatile Memory--NVM） 挥发存储器（Volatile Memory--VM）或者称易失存储器 1. ROM结构原理图 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量：用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 7.2.1 掩模只读存储器(Mask ROM) 7.2 只读存储器ROM 存储单位:字 2. 工作原理 ROM是组合逻辑电路 d3=W1+W3=A’1A0+A1A0 3. 看待ROM（存储器）的三个不同的角度 组合逻辑 查找表 (Look-up table) 译码－编码的过程 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地址 真值表 输入变量 输出变量 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 4. 数据与存储矩阵对应关系 存储器的容量: 字数 x 位数 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 编程时VCC和字线电压提高 写入时，要使用编程器 7.2.2 可编程只读存储器PROM IP