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放射系统 成像系统 机械系统 图像处理 系统 DR主要结构方块图 闪烁体 非晶硅传感器 读出电路 外壳 驱动电路 传感器 : 非晶硅 成像范围 : 17″x　17″ 像素数量 : 1100万像素（3,328 x 3,328 矩阵） 像素尺寸 : 127μm 分辨率 : 3.9lp/mm 成像时间 ：2秒 像素深度 : 14bits 新一代大型非晶硅传感器LANMIX DR平扳探测器结构与工作原理 人体 基板 保護層 闪烁体 TFT (薄膜晶体管) MIS 传感器 (金属绝缘半导体) 下部电极 上部电极 a-Si (n+) 绝缘体 a-Si X 线 光量子 电子 Electric Current a-Si传感器结构图 (横段面) passivation TFT (薄膜晶体管) 下部电极 MIS 传感器 (金属绝缘半导体) TFT (薄膜晶体管) 下部电极 Cesium Iodide lens CCD CCD 探测器的工作方式 e+ e- + + + + + + + + + + + a-Se CsI GOS （Gd2O2S:Tb） 闪烁体 直接转换 可见光 可见光 电子 波长 540nm(peak) 波长 545nm(peak) X线捕获方式对比 成品率高、适合于批量生产、性能稳定、可靠性