隧穿场效应晶体管的专利申请态势分析.pdf

专利导航 II 隧穿场效应晶体管的专利申请态势分析 车晓璐吴海涛 (国家知识产权局专利局，北 京 100088) 摘要：本文首先介绍了隧穿场效应晶体管 (TFET)的 原 理 和 发 展 概 况 ，随 后 对 2016年 3 月 31 日前已公开了 TFET的相关专利申请进行统计分析，给出专利技术发展趋势、区域分布和申请人分布，帮助技术人员了解 TFET技术专利发展状态，并希望对技术人员寻找进一步研究的方向提供帮助。 关键词:TFET ;专利申请态势 中图分类号：T 386 文献标识码:A 文章编号：1003-5168(2016)07-0081-04 Patent Application Situation Analysis in Tunnel Field Effect Transistors Che Xiaolu W u Haitao (The Patent Office of SIPO,Beijing 100088) Abstract:This article first introduces the principle and development situation 〇£ tunnel field effect transistor (TFET )， then statistically analyses patent application related to TFET which are disclosed before 31 March 2016, and pro­ vides the trend in patent technique development , area distribution and applicant distribution to help technical staff knowing the patent developing estate of FET technique. It is hoped that the article can help technical staff find a fur­ ther researching direction. Keywords ：TFET ; trend in patent technique 从 1965年“摩尔定律”被提出以来，集成电路的演进 TFET可以实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅，且具有关态 遵循着摩尔预言的这种指数规律。金属氧化物半导体 电流小，频率特性好以及静态功耗低等优势，被看成集成 场效应晶体管(M0 SFET)作为集成电路的基本单元其小 电路技术未来继续按照“摩尔定律”发展的重要途径，是 型化已经趋于物理极限。同时，传统的CMOS工艺越来 低功耗领域的候选器件之一。2014年东芝已开发出与 越不能满足降低功耗的需求，这主要是由于M0 SFET是 CMOS工艺兼容的针对不同应用位置的三种TFET结构， 基于扩散漂移工作的，其工作机理导致其亚阈值摆幅的 并将进一步以量产为目标，计划2017年投产配备该TFET 下限约为60mV/dec ，且有限低的关断电流™。为此，需要 的MCU〇英特尔也将TFET作为 lOnm以后工艺的技术候 提出新的超低功耗器件，其需要在较低的驱动电压下， 补[2]〇 保证高电流输出开关比。其中一个方向是抛弃基于扩 我国在 TFET器件的研究中也有优秀的研究成果。 散漂移的工作机制，引入基于新工作机制的晶体管，如