MOSFET基分布式放大器的研究进展-电子器件.PDF

第 32 卷 　第 3 期 电 子 器 件 Vol . 32 　N o . 3 2009 年 6 月 　　　 Chinese J our nal Of Elect r on Devices 　　 J un . 2009 Progress on Research of the MOSFETBased Distributed Ampl if ier L I X ue , Z H A O M eng , H A N B o , GA O J i anj un ( ) S chool of I nf orm at ion S cience an d Technology , E as t Chi na N orm al Uni vers ity , S hang hai 20024 1 , Chi na Abstract :A de sign of t he MO SF E Tba sed di st ribut ed amp lifier s ha s been sp ecifically p re sent ed . The de sign of gain cell s , t he imp rovement of mat ching net wor k an d lownoi se charact eri stic s are st udied , on t he ba sic of w hich t he re search of t he MO SF E Tba sed di st ribut ed amp lifier s and t he p ro sp ect of t he t ren d in t he near f ut ure are int ro duced . Key words :Di st ribut ed A mp lifier ;MO SF E T ;CMO S ; GaA s F E T EEACC :2570D ;1220 MOSFET 基分布式放大器的研究进展 李 　雪 ,赵 　萌 ,韩 　波 ,高建军 (华东师范大学信息科学技术学院 ,上海 20024 1) ( ) 摘 　要 :对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管 MO SF E T 的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述 。从增 益单元的设计 、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面 ,介绍了 MO SF E T 基分布式放大器的研究进展并展望了 MO S F E T 基分布式放大器的发展趋势 。 关键词 :分布式放大器 ;金属氧化物场效应晶体管 ;互补金属氧化物场效应晶体管 ;砷化镓金属半导体场效应晶 中图分类号 :TN72 　　 文献标识码 :A 　　文章编号 2009) 　　随着微电子与微波通信技术的迅猛发展 , 国内 于当时工艺技术的限制导致了 MO SF E T 器件的速 外对射频集成电路性能的要求越来越高 。分布式放 度慢 、噪声大 、寄生电容大 、跨导小 ,因而在过去的高 ( ) 速电路设计中很少采用 MO SF E T 器件 。随着射频 大器 Di st ribut ed amp lifier 以其在极宽的频带范围 内具有