应变的电子显微学研究-长沙0620.pptVIP

提纲 引言 衍射模式下的应变研究 图像模式下的应变研究 小结 宏观工程的应变研究 应变硅技术 研究应变的电子显微学方法 Direct strain measurement in a 65 nm node strained silicon transistorby convergent-beam electron diffraction Atomic-scale mapping of local lattice distortions in highly strained coherent islands of InxGa1-xAs/GaAs byhigh-resolution electron microscopy and image processing Measurement of the displacementfield of dislocations to 0.03 A byelectron microscopy 应变的暗场电子全息研究 小结 CBED是研究应变的重要方法，利用HOLZ线，测量精度可达0.1%，但分析较复杂，需配合模拟计算，易污染； LACBED中迭加有阴影像，可以将正倒空间结合起来分析，利用ZOLZ线测量直观，但精度不高，适用于大应变测量； HRTEM结合GPA可以分析纳米尺度的应变，直观简单，但必须校正成像部件引入的畸变，否则只能近似测量大应变； 暗场全息是一种有特色的应变分析方法，但必须有全息附件，另外如果参考区域有残余应变，将影响测量结果。 致谢 本项研究得到了国家973 项目2001CB610502，G2000036504 和2007CB936301的资助。 感谢应变硅PMOSFET器件研究的合作者刘海华博士，徐秋霞研究员的工作。 感谢GPA应变分析的合作者贺小庆硕士，温才博士等的工作。 谢 谢 BLEM BLEM * 应变的电子显微学研究 段晓峰 中科院北京电子显微镜实验室 北京凝聚态物理国家实验室 中国科学院物理研究所 BLEM BLEM 引言 微观应变的研究—能带工程 BLEM 引言 沟道纵向的压应力能显著提高空穴的迁移率 张应力则能显著改善电子型载流子的迁移率 BLEM 衬底诱导的双轴应变： 工艺诱导的单轴应变： 引言 BLEM 点阵常数变化引起 的角度变化 与晶面倾角有关 的角度变化 应变导致点阵常数和晶面倾角的变化 引言 完全不共格状态 完全共格状态 f e⊥ △j e⊥ p p g GeSi Si f = (aGeSi-aSi)/aSi=hx BLEM 应变导致晶面倾转 引言 Si[100]带轴的LACBED花样(透射盘) 与菊池衍射相似，晶面的会聚束衍射呈一条直线 引言 BLEM 小角度倾转晶面与衍射线的关系 引言 像模式 衍衬像 高分辨像 暗场电子全息 衍射模式 选区电子衍射 会聚束电子衍射 大角度会聚束电子衍射 BLEM 引言 应变导致电子衍射点分裂 AlSb/GaAs异质结界面的[110]取向HRTEM像及其FT图谱 4 nm g1= g2= BLEM 衍射模式下的应变研究 Peng Zhang et al, APPLIED PHYSICS LETTERS 89, 161907 (2006) BLEM 衍射模式下的应变研究 样品 物镜 选区光栏 物面 后焦面 像面 会聚束电子衍射光路图 BLEM 衍射模式下的应变研究 BLEM 样品 物镜 选区光栏 物面 后焦面 像面 样品的共轭面 DS 大角度会聚束电子衍射光路图 衍射模式下的应变研究 [210] LACBED of GeSi/Si strained-layer superlattices (SLS) in cross section BLEM 衍射模式下的应变研究 大角度会聚束电子衍射中阴影像 Ge PAI应变诱导工艺方法： 中科院微电子所的徐秋霞研究员提出了一种简单，低成本的应变诱导工艺：锗预非晶化源漏区离子注入工艺(Ge-PAI)，在PMOSFET器件沟道中引入很大的单轴压应变，实现了空穴载流子迁移率和器件性能的极大增强。 Q. X. Xu et al EDL27(3) (2006), 179-181 a.应变硅PMOSFET器件的示意图 b.截面TEM形貌像 EDS分析表明在源漏区的Ge含量为1% 左右 Ge Ge BLEM 衍射模式下的应变研究 压应变测量示意图 B’’ BLEM 衍射模式下的应变研究 130nm栅长 (3#)，P点应变－1.60% BLEM H.H. Liu et al., Ultramicroscopy 108 (2008) 816 应变的大角度会聚束电子衍射研究 衍射模式下的应变研究 应变硅PMOSFET的动力学