其他形式的二极体.doc

其他形式的二極體 ?太陽能電池--- ●將光能轉為電能 ●太陽能電池為PN接面元件，無需供給電壓 ●光擊在空間電荷區產生電子電洞 　　被電場快速分離且掃出 　　而形成光電流 　　在電阻R產生壓降即供應電力 可由矽、砷化鎵或其他三五族複合半導體材料所製 接上負載之pn接面太陽能電池 ?光檢測器--- ●將光的訊號轉為電的訊號 ●類似太陽能電池，但工作在反向偏壓 ●射入光子或光波產生多出電子電洞在空間電荷區 　被電場快速分離且掃出而形成光電流 ●光電流大小正比於射入光子通量 ?發光二極體--- ●轉電流成光 ●順偏時電子電洞越過空間電荷區到另一區成為多出少數載子與多數載子重組 ?若半導體為直接能隙材料，如砷化鎵，結合時動量不變且射出光子或光波 ?若半導體為間接能隙材料，如矽，結合時動量與能量均需守恆，則不太可能射出光子或光波 ●LED的電流IF正比於重組率 ●輸出光的強度正比於二極體電流 ●單石陣列的LED用來顯示數字及字母 ●雷射二極體：將光學共振腔整合到LED，產生非常窄頻的同調光子輸出 ●光纖系統： ?如圖，LED與光二極體結合 ?光纖對某特定波長吸收係數很低 光傳輸系統之基本元件 ?Schottky barrier diode 金屬(如鋁)與中度摻雜的n型半導體 I-V特性與PN接面半導體類似 有兩點不同： 　電流機制不同： ?PN接面的電流由少數載子擴散所控制 ?蕭基二極體則是多數載子越過冶金接面而造成 ?所以無少數載子之囤積 ?故由順向切至反向很快，幾無儲存時間 ?Schottky反向飽和電流較大 ?意味著相同順向偏壓時相同面積的蕭基二極體的電流較大 ?導通電壓也較小 蕭基位障二極體及其電路符號 ●利用片段連續模型時， 與PN接面二極體相比較， Schottky二極體有較小的 導通電壓Vr。 Example 1.12 Pn接面與Schottky二極體的反向飽和電 流各為IS=10-12A and 10-8A, 推算出1 mA所需的二極體 電壓各為多少？ 解：可由二極體電流電壓公式: 　　可推得二極體電壓為: PN二極體電壓為: Schottky二極體電壓為: 由於Schottky二極體的反向飽和電流Is 相較PN接 面二極體大，因此較小的接面壓降就可以獲得需要的 電流 ?另一種金屬-半導體接面 ●歐姆接點---電流可以雙向導通 ?金屬與重度摻雜的半導體接觸形成歐姆接點 ?歐姆接點壓降小 ?歐姆接點常用來做IC內半導體元件間的連線，或將IC連接到外部的端子。 ◎齊納二極體 ?崩潰電壓： ●二極體崩潰在某個反偏壓的電壓值下，使得 元件的反偏電流急增。 ?齊納二極體設計製造以提供特定的崩潰電壓 lIZ大電流有大功率消耗而有過熱效應使二極 體損壞 ?限制齊納二極體的運作在崩潰區，其電流在元 ?件容忍範圍 ?用以在電路中當固定電壓參考 ●增量電阻rz很小，約幾到幾十歐姆 ●符號：VZ為齊納崩潰電壓，IZ為工作在崩潰區的反向電流 齊納二極體之電路符號 Example 1.13 考慮圖1.41所示之電路。設齊納二極體 崩潰電壓Vz=5.6V，而齊納電阻rz=0。求所需`之電阻 值R以將電流限制在I=3mA。 解： 如以往一樣，我們可由跨於R兩端之電壓差除以電阻值而求出電流。 　　即: 　　故電阻即為: =1.47KΩ 齊納二極體所消耗功率為 =1.47KΩ The power dissipated in the Zener diode is The Zener diode must be able to dissipate 16.8mW of power without being damaged.