太阳能电池元件制程技术-联合大学.PDF

太陽能電池元件製程技術 太陽能電池元件製程技術 Solar Cell Devices Process Technology Solar Cell Devices Process Technology 許正興 許正興 國立聯合大學電機工程學系 國立聯合大學電機工程學系  Introduction to semiconductor process technology  Introduction to solar cell material, mechanism and measurement  Amorphous solar cell process technology  Single crystal and polycrystalline solar cell process technology  III-V group compound semiconductor solar cell process technology  II-VI group compound semiconductor solar cell process technology  CuInSe system and organic solar cell technology 化合物半導體III-V族太陽能電池的發展  III-V族化合物半導體，是發光二極體元件製作的主要材料 ；然而，它 亦是太陽能電池元件的主要材料之一，其中又以砷化鎵化合物為三五 (III-V) 族化合物半導體的代表性材料。  太陽能電池的基本原理則是「光電效應(Opto-Electro Effect) 」，亦就 是照射太陽光的能量而使其產生電能的一種物理現象 。 事實上 ，太陽能電池元件是諸多二極體元件中的一種，它不能發光而 能夠發電 ，故又稱之為 「光伏特二極體元件(Photovoltaic Diode, PVD) 」或 「光伏特電池(Photovoltaic Cell, PVC) 」。 鋅 (Zn) 硫 (S) (a) (b) (a) 纖鋅礦的晶體結構 ；(b)閃鋅礦的晶體結構  大部分III-V 族化合物半導體 ，是屬於直接能隙遷移型半導體 ，其能量與 動量的轉移過程僅需要光子 (Photon)的釋出而已 ，如圖(a)所示  在間接能隙遷移型半導體方面 ，其能量與動量的轉移過程不僅僅是光子 的釋出 ，而且其晶體的晶格熱振動將產生動量的變化，進而衍生出聲子 (Phonon)的遷移效應 ，如圖(b)所示 電 子   能  電子    量 hv ~ E  bg  電洞 Ebg ~ hc Ebg ( 能隙能量) E bg (a) 直接能隙遷移型半導；       (b)間接能隙遷移型半導體 動量