改变基体偏压来降低功率之压控振荡器-龙华科技大学.PDF

改變基體偏壓來降低功率之壓控振盪器 改變基體偏壓來降低功率之壓控振盪器 陳凰美 陳成端 龍華科技大學電子工程所 摘要 本文介紹一個具備著低電壓、低功率、低相位雜訊的壓控振盪器（VCO ）電路。這 個 VCO的原型是使用 TSMC 0.35 μm 2P4M CMOS的技術程序來製作。電源電壓為 1.8V ，基體偏壓0.9V ，量測到的主振盪頻率為3.2GHz ，而在主頻率偏移1MHz的位置 上，我們所量測到的相位雜訊為 -126 dBc/Hz ，總消耗功率為16.1 mW 。 關鍵詞：壓控振盪器、低相位雜訊、低消耗功率、基體偏壓 1. 前言 交錯式耦合對的形式，並提供VCO 核心部 由於現在通訊產業非常發達，積體電 份的負電阻來抵消電感與電容在電路裡的 路應用在無線通訊也愈來愈普遍，在積體 寄生電阻。 MP3 與 MP4 為開關，它們可以 電路設計上必須考量幾個重點，如低電 改變 MP1 與 MP2的基體偏壓和提供迴授 壓、低功率消耗。在射頻收發機 (transceiver) 路徑，形成 MOS 基體末端連接到交錯式 的系統中，為達到最佳的系統整合，其中 對稱對的路徑被設計成注入一基體偏壓， 主要的挑戰是以一個鎖相迴路或頻率合成 以降低其功率、電壓與雜訊[3] 。這個電感 器提供此本地振盪訊號 (LO signal) 。而鎖相 與電容所形成的共振腔包括兩個可變電容 迴路或頻率合成器的中心結構為一個電壓 (CV1 與 CV2)和兩個互感形式的電感。振 控制振盪器（VCO ），其電路特性好壞影響 盪頻率可以藉由控制可變電容的偏壓 Vtune 了整個迴路的效能。因此，VCO在設計上 來做調整。這個電感與電容所形成的共振 腔所產生的共振頻率 f 可以藉由方程式 有三個關鍵的目標，低功率消耗 (Low out power consumption) ，低相位雜訊(phase (1)來做計算[4]-[5] 。MN1 與 MP5 ，MN2 noise)及寬的頻率可調範圍 (frequency tune 與 MP6所形成的電路來當作反向器的緩 衝閘來使用。 range) ， [1]-[2] 。 2.設計基體偏壓形式的 VCO 1 f out (1) 2πL C 在這篇論文中，我們介紹一個 VCO的 i var 電路，它擁有低電壓與低相位雜訊的性 能，這個 VCO包含交錯對稱性的 PMOS ， 而由於輸出端有阻隔電容（C1 與 C2 ），訊 以及一個被積體電路化的電感與電容所形 號接到緩衝閘的地方沒有直流訊號，所以 成的共振腔，還有輸出為一反向