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電子學第2章 ( ) 1. 有關外質(Extrinsic)半導體之敘述，下列何者錯誤？ (A) P型半導體之少數載子為電洞 (B) 將三價雜質元素摻入純半導體中，以形成P型半導體 (C) 將五價雜質元素摻入純半導體中，以形成N型半導體 (D) N型半導體之多數載子為自由電子 ( ) 2. 二極體的順向導通電流方程式為？ (A) (B) (C) (D) ( ) 3. 二極體的空乏電容隨著逆偏電壓的增加而？ (A) 無影響 (B) 不一定 (C) 增加 (D) 減少( ) 4. 熱當電壓VT在室溫下約為？ (A) 10mV (B) 2.5mV (C) 25mV (D) 1mV ( ) 5. 電子伏特(eV：electron volt) (A) 電流 (B) 能量 (C) 電量 (D) 電壓 ( ) 6. 下列敘述何者不正確？ (A) 將磷(P)或砷(As)加入一本質半導體可以將此半導體變為P型外質半導體(Extrinsic Semiconductor) (B) 在摻有銻(Sb)的半導體中，Sb扮演的角色是施體(Donor) (C) 矽(Si)及鍺(Ge)皆是本質半導體(Intrinsic Semiconductor) (D) 在P型半導體中之多數載子(Majority Carrier)為電洞 ( ) 7. 二極體由P型材料與N型材料接合而成，當二極體被反偏時的電流稱為逆向飽和電流，逆向飽和電流的大小主要與下列何者有關？ (A) 加反向偏壓的時間 (B) 二極體所在環境的溫度 (C) 與反向偏壓的大小、加反向偏壓的時間同時有關 (D) 反向偏壓的大小 ( ) 8. (A) 五價 元素 (B) 四價 (C) 三價 (D) 二價 ( ) 9. 如圖所示電路，若Vi之峰值大於Vz(稽納二極體崩潰電壓)，則Vo之波形為？　 (A) (B) (C) (D) ( )10. 稽納二極體(Zener Diode)使用於穩壓時，是操作在？ (A) 濾波 (B) 正向導通 (C) 逆向崩潰 (D) 整流 ( )11. 一般矽質二極體導通時，兩端的電位差為？ (A) 0.9V (B) 0.2V (C) 1.2V (D) 0.6V ( )12. 下列何者為三價半導體元素？ (A) 矽 (B) 鎵 (C) 砷 (D) 磷 ( )13. 下列何種元素摻入純半導體材料中可將純質半導體的電特性轉變為P型半導體？ (A) 磷 (B) 砷 (C) 硼 (D) 銻 ( )14. 圖所示，設D1，D2為理想二極體，試求Vo＝？ (A) 4V (B) 1V (C) 3V (D) 2V ( )15. 下列敘述何者不正確？ (A) Ge的障壁電壓約為0.3V (B) Si的障壁電壓約為0.7V (C) Si及Ge皆是4價元素 (D) Si及Ge的原子序皆為14 ( )16. ，°C時，逆向飽和電流將為？ (A) 64nA (B) 8nA (C) 16nA (D) 32nA ( )17. 如圖之電路，若Vi=+5V，求Vo為？ (A) +5V (B) －2.5V (C) －5V (D) +2.5V ( )18. ，試判斷二極體D1及D2之導通狀態？ (A) D1 OFF，D2 OFF (B) D1 ON，D2 OFF (C)，D2 ON (D) D1 OFF，D2 ON ( )19. ，稽納(Zener)二極體之崩潰電壓VZ＝8V， (A) 64mW (B) 24mW (C) 16mW (D) 0W ( )20. 承上題，若電源改為10V， (A) 0W (B) 16mW (C) 64mW (D) 24mW ( )21. 如圖所示，為一二極體相關電路，假設一般二極體及稽納二極體順向偏壓為0.7V， (A) 3.6mA (B) 4.3mA (C) 6.25mA (D) 2.76mA ( )22. 稽納二極體順向導通電壓為？ (A) 6V (B) 0.6V (C) 10V (D) 3V ( )23. 下列有關矽與鍺二極體之比較何者正確？ (A) 矽二極體的臨界電壓低於鍺二極體 (B) 矽二極體的反向飽和電流高鍺二極體 (C) 矽二極體的可工作溫度遠低於鍺二極體 (D) 矽二極體的逆向峰值電壓遠高於鍺二極體 ( )24. 理想的砷