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電子封裝辭彙 A 加成法製程 (Additive Process) 一種化學縮減製程，在基材上將導體選擇性沉積以構成導電線路。 合金 (Alloy) (1) 由多種具有金屬特性的物質構成，通常包括兩種以上的金屬。 (2) 製作或熔解一種合金。 鋁礬土 (Alumina) 氧化鋁 ( ) ，主要由礬土所構成的鋁基材。幾乎所有的陶瓷模組都是以礬土陶瓷製成。鋁 礬土具有易於加工以及良好的熱傳 導性等優點，又因其熱膨脹係數為6.5 ，接近矽晶片的熱膨 脹係數，故適合用於覆晶接合。 異方性導電膠 (Anisotropic Conductive Adhesive) 一種膠合物可以在垂直方向(Z軸向 )產生導電性，但在水平方向(X軸向和 Y軸向 )仍保持絕緣 特性。 陣列 (Array) 一群接點(焊墊、針腳或電路以行列的方式排列於基板上。) 細長比 (Aspect Ratio) 導通孔在電鍍前其直徑與深度的比例。 組裝／重工 (Assembly/Rework) 表示將微電子元件結合和替換的製程。組裝為將元件貼合和連結在封裝體上；重工則是指將元 件移除，包括其間的連接，然後整理接合處重新安裝新元件。 軸向引腳 (Axial Lead) 分離元件(Discrete component)端末伸出的引腳或沿著中央軸向伸出，而不是在四周伸出引腳。 B 背貼式接合 (Back bonding) 使用晶片的背面貼合到基板，而將有電路的一面朝上，背貼式接合的相反是面朝下接合 (Face down bonding) 。 生產後端處理製程 (Back-End-of-the-Line ，BEOL) 積體電路製造中，主動元件 (如電晶體、電阻等)在晶圓上是以線路連接，其中包括接點、絕緣 體、金屬層次和晶片與封裝體相連的打線位置。將晶圓分割成晶片也是 BEOL 製程之一。前端 處理製程(FEOL)則表示製程中先處理的部份，即將晶片電路製作半導體上。 背面金屬化 (Backside Metallurgy ，BSM) 在多層陶瓷封裝中內部導通連至背後的金屬焊墊，用以與針腳焊接。 球型接點 (Ball Bond) 以熱壓(Thermo compression)方式將金線焊在金屬墊上，接點處成球形，也稱為釘帽型接點(Nail head bond) ，呈扁球形。 球腳格狀陣列封裝 (Ball Grid Array Package) 一封裝技術，其下的焊墊點不僅分佈於封裝體四周，同時以棋盤狀分佈於封裝體下方的整個 面，故也被稱為 Pad Array Carrier (PAC) 、Pad Arrau 、Pad Array Package 、Land Grid Array或 Pad grid Array Package 。 凸塊底部金屬化 (Ball Limiting Metallurgy ，BLM) 焊錫可附著到金屬化的接點上，以構成整個面的焊點，如 C4在晶片上的焊墊。BLM可限制焊 錫在預定的區域流動，與晶片線路連接。 裸晶片 (Bare Chip ，Die) 未經封裝的矽晶片。對多晶片模組而言，製造者購買裸晶片，然後測試以供組裝成封裝體。 電路板 (Board) 此封裝件即是有機印刷電路卡或板，其上可安裝較小的電路卡或模組，與下一層級的連接是透 過電線或電纜，採用焊接或嵌入方式。 接合 (Bonding) 兩種材料的結合，例如，焊線在積體電路上或基板上。 接合墊 (Bonding Pad) 積體電路晶片的金屬化區域以讓細線或其他元件接合之用。 BT樹脂 (BT Resin) Bis-maleimide-triazine 型式的樹脂與還氧混合後以達到印刷電路板積層所需之特性，其優點包 括耐高熱、低介電常數和即使在吸濕之良好的電氣絕緣體。 凸塊 (Bump) 供元件端點區連接之物，在元件或基板( )焊墊上所形成的小突起物，用以做晶片朝下的接合。 凸塊接點 (Bump Contacts) 接合墊突起超越晶片表面，或基板上具突起的接合墊以與晶片上的平面焊墊相接，又稱為球形 接點(Ball contacts) 、突起焊墊(Raised pads)或突柱 (Pedestals) 。 預燒高速加溫老化/ (Burn-in) 將零件暴露在高溫下，