神奇的电子技术第一章初步了解电子技术.PDF

神奇的电子技术 第一章初步了解电子技术 第一节晶体管的种类 一、按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管 的极性可分为锗NPN 型晶体管、锗 PNP 晶体管、硅NPN 型晶体管和硅 PNP 型 晶体管。 P 型半导体：P 型半导体是在 4 价的本征半导体中混入了 3 价原子，譬如极 小量（一千万之一）的铟合成的晶体。由于 3 价原子进入 4 价原子中，因此这晶 体结构中就产生了少一电子的部分。由于少一电子，所以带正电。P 型的“P ” 正是取“Positve （正）”一词的第一个字母。 N 型半导体：若把 5 价的原子，譬如砷混入 4 价的本征半导体，将产生多余 1 个电子的状态结晶，显负电性。这 N 是从“Negative （负）”中取的第一个字母。 如图一是未加电场（电压）的情况 P 型载流子和 N 型载流子随机地在晶体 中。若在图二中的 N 端施加正电压，在 P 端施加负电压，内部的载流子，电子 被拉到正电压方，空核裤拉到负电压方，从而结合面上的载流子数量大大减少， 电阻便增大了。如图三加相反电压，此时内部载流子通过结合面，变得易于流动。 换言之电阻变小，电流正向流动。请记住：二极管的正向导通是从 P 型指向 N 型，国际的标法是：三角形表示 P 型，横线是 N 型。二极管在 0.6V 以上的电压 下电流可急剧移动，反向则无！ 二、按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶 体管。 三、按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 四、按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 五、按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑 封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷 封装晶体管等。其封装外形多种多样。 如图是部分晶体管的外形。 六、按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放 大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶 体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 第二节晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、 最大反向电压、反向电流等。 一、电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流 电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放 大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流 Ic 与基极电流 Ib 的 比值，一般用hFE 或β表示。 2 ．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放 大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△Ic 与基极电流变化量△ Ib 的比值，一般用hFE 或β表示。 hFE 或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一 些差异。 二、耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率 PCM ，是指晶体管参数变化不超过 规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在 使用时，其实际功耗不允许超过 PCM 值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率 PCM 小于 1W 的晶体管称为小功率晶体管，PCM 等于或大 于 1W、小于 5W 的晶体管被称为中功率晶体管，将 PCM 等于或大于 5W 的晶 体管称为大功率晶体管。 三、频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围， 则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT 和最高振荡频率 fM 等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率f β或f α时，其电流放大 系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为 1 时晶体管的工作频 率。 通常将特征频率 fT 小于或等于