半导体器件物理课件4.pdf

章节 第一章 引言 第二章 半导体器件物理基础 第三章 MOS FET 基本结构和原理 第四章 短沟道MOS 器件 第五章 存储器件基础（不挥发挥发） 第六章 异质结的基本特性和应用 第七章 SOI结构和SOI CMOS 器件 第八章 纳米尺度器件及芯片加工技术 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.10 Fudan University 短沟道MOSFET器件 Dr. P.-F. Wang Advanced semiconductor devices and physics 2012.10 Fudan University 短沟道MOSFET器件物理 Moore’s law + VG Charge sharing Shrinking of MOSFETs 10 + V D ] 祄 1 [ e r u t wC a 0.1 e forecast Source f w n. S Drain wD i shrink of ~ 13% / year depletion M depletion 0.01 = 2 / 3 years 1E-3 = 2 in area shrink / 3 years QB 1950 1960 1970 1980 1990 2000 2010 2020 2030 V V 2V 