烧结方法对AlN陶瓷微观形貌及热导率的影响.pdfVIP

第 40 卷 增刊 1 稀有金属材料与工程 Vol.40, Suppl.1 2011 年 6 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING June 2011 烧结方法对 AlN 陶瓷微观形貌及热导率的影响 瞿志学，王 群，张延超 (北京工业大学，北京 100124) 摘 要：采用真空烧结、N2 保护无压烧结、放电等离子烧结等方法对 AlN 粉末进行烧结，研究烧结方法对粉体烧结行 为以及产物物相组成、微观形貌及热导率的影响。结果表明：真空烧结会显著降低 AlN 材料的脱氮分解温度，无法实 现其致密化；而通过 N2 保护无压烧结和放电等离子烧结的方法均能得到结构致密、热导率较高的 AlN 陶瓷，其中后者 -1 -1 的烧结温度更低、制得陶瓷样品的致密度和热导率更高，在 1650 ℃保温 10 min 即可烧结得到热导率为 121.5 W·m ·K 的 AlN 陶瓷。 关键词：AlN 陶瓷；烧结方法；微观形貌；热导率 中图法分类号：TQ174 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2011)S1-522-03 随着现代电子技术的飞速发展，各类电子设备不 体，杂质氧含量约为 0.6% 。粉体烧结前，加入 断向微型化、轻型化、高集成度、高可靠性方向发展。 Y O -Li O-CaO 体系烧结助剂(Y O :4.4%，Li O:0.6% ， 2 3 2 2 3 2 这种发展趋势就使得设备的散热以及相应散热基片材 CaO:0.5%) ，经充分球磨混合后，干燥过筛备用。真空 料的选择成为一项亟待解决的课题。目前，国内外应 烧结及 N2 保护无压烧结所需坯体以 100 MPa 的压强 用最广泛的散热用基片材料为氧化铝(Al O ) 陶瓷，但 干压成形，采用ZT-18-22 型真空碳管烧结炉进行烧结， 2 3 其热导率相对偏低，限制了进一步的发展应用。而近 该烧结炉最高烧结温度 2200 ℃，极限真空度 几十年来发展起来的高导热氮化铝(AlN)材料以其优 6.67×10-3 Pa 。真空烧结法选取 1800，1650 和 1500 ℃ [1,2] 良性能成为新一代绝缘散热基片材料的候选材料 。 作为烧结温度，自 800 ℃开始记录烧结过程中炉内压 然而，由于 AlN 属于共价键化合物，熔点高， 强的变化；无压烧结法以高纯氮气作为保护气，在 原子自扩散系数小，纯相的 AlN 粉末在通常的烧结 1800 ℃条件下烧结 1 h。放电等离子烧结法采用日本 温度下很难烧结致密，而致密度不高则会直接限制基 Sumitomo 的 SPS-1050 型烧结炉，在 1650 ℃、30 MPa 片材料热导率的提高。研究中可以通过 3 种途径来提 条件下烧结 10 min。 高 AlN 陶瓷的烧结致密度：（1）选用超细的原料