STM32教程系列之FLASH.docVIP

一、实现的功能 1．实现对STM32Fxxx的片内FLASH的擦除和烧写，并读出后进行检验。 2．用串口打印出检验FLASH内容是否正确的变量值。 二、实验操作及现象 1．双击FLASH.eww打开工程文件，然后进行编译。 2．用Flash?Loader将程序下载到ARM内，或者利用JLINK等仿真器进行仿真。 3．在程序运行前，用串口线将开发板的串口1和PC机的串口1连接，并打开“串 口调试助手”，设置波特率为115200，将会看到每0.5秒显示一次“Flash?Status=1”， 则说明FLASH操作成功，否则说明FLASH操作失败。 三、片内FLASH学习 大家可能会疑惑，既然我们可以利用工具将代码下载芯片内部，为什么还要讲解Flash编程呢？目的是让大家掌握后可以编写自己的BootLoader，例如用CAN总线接口来更新产品中的升级代码，不需要将产品拆卸即可完成。另外一个很重要的问题就是我们要保护好自己编写的代码，否则被破_解后，就成别人的产品了。 1．解除Flash锁??? 复位后，闪存擦写控制器模块是被保护的，不能写入FLASH_CR寄存器， 通过写入两个关键字(KEY1，KEY2)到FLASH_KEYR寄存器打开闪存擦写控 制器，才可以进行其他闪存操作。其中KEY1为0KEY2为0xCDEF89AB。 编程如下： FLASH-KEYR?=?FLASH_KEY1; ?? FLASH-KEYR?=?FLASH_KEY2; 2．页擦除 在FLASH操作中，每次擦除只能擦除一页，不能一个字节一个字节的擦除，其实所谓的擦出就是将指定的页全部填写成0XFF，下面是页擦除的过程： ???-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作； ???-用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页； ???-设置FLASH_CR寄存器的PER位为1； ???-设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1； ???-等待BSY位变为0； ???-读出被擦除的页并做验证。 编程如下： //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) ??status?=?FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); ?? ??if(status?==?FLASH_COMPLETE)//如果FLASH处于可以操作状态，开始进行页擦除操作 ??{? ???? ????FLASH-CR|=?CR_PER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的PER位为1 ????FLASH-AR?=?Page_Address;//用FLASH_AR寄存器选择要擦除的页 ????FLASH-CR|=?CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1 ???? ????//等待擦除操作完毕(等待BSY位变为0) ????status?=?FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); ????if(status?!=?FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0 ????{ ??????//如果擦除操作完成，禁止CR的PER位 ??????FLASH-CR?=?CR_PER_Reset; ????} ??} 3.?全部擦除 全部擦除就是将全部FLASH都填写成0xFF，其过程如下： ???-检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作； ???-设置FLASH_CR寄存器的MER位为1； ???-设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1； ???-等待BSY位变为0； ???-读出所有页并做验证。 编程如下：? //等待前次操作完毕(检查FLASH_SR寄存器的BSY位) ??status?=?FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); ?? ??if(status?==?FLASH_COMPLETE)//如果FLASH出于可以操作状态，开始进行全部页擦除操作 ??{ ?????FLASH-CR?|=?CR_MER_Set;//设置FLASH_CR寄存器的MER位为1 ?????FLASH-CR?|=?CR_STRT_Set;//设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1 ???? ????//等待全部页擦除操作完毕(等待BSY位变为0) ????status?=?FLASH_WaitForLastOperation(EraseTimeout); ????if(status?!=?FLASH_BUSY)//如果SR的BSY为0 ????