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单粒子效应课件

单粒子效应和CMOS器件的加固;半导体器件建模分析;单粒子效应(Single Event Effect);单粒子效应的分类;单粒子翻转(SEU);单粒子翻转;单粒子瞬变效应(SET);单粒子瞬变效应(SET);单粒子烧毁(SEB)与单粒子门断裂( SEGR);单粒子效应产生的机制;空间粒子辐射环境;重核粒子引起的单粒子效应;高能质子引起的单粒子效应;高能质子引起的单粒子效应;高能中子引起的单粒子效应;高能中子引起的单粒子效应;场效应管 -- FET;结型场效应管的结构;MOSFET的结构;PMOS与CMOS结构;导电沟道的形成;漏,源极(D, S)之间电压的影响;CMOS器件的单粒子闭锁(SEL);单粒子锁闭的敏感区;抗单粒子加固技术;屏蔽与减额;系统级措施;抗单粒子工艺加固;CMOS器件的单粒子效应及加固;单粒子锁定(SEL: Single Event Latchup);阱--源结构

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