实验1Athena仿真基本操作.PDFVIP

[在此处键入] [在此处键入] 版本 0.1 实验 1 Athena 仿真基本操作 1.1. 实验 目的 （1） 掌握仿真代码的基本结构 （2 ） 掌握仿真计算网格的定义 （3 ） 掌握仿真计算结构文件的存储 （4 ） 掌握仿真结构文件的绘图和设置 （5 ） 掌握薄膜的简单淀积和刻蚀 （6 ） 掌握结构几何尺寸的取 1.2 基本原理 工艺仿真 （Process Simulation ）是通过计算机软件，对加工工艺进行计算，以达到对工艺结 果器件的预测。通过工艺仿真的器件结构，预测器件的性能，作为优化工艺的辅助，则是器 件仿真（Device Simulation ）的内容。两者紧密联系，构成了所谓的 Technology Computer Aided Design （TCAD ），也就是。目前业界领先的工艺仿真软件有 Silvaco 公司的Athena 和 Atlas ， Synopsys 公司的 TSuprem 及 Medici 等。 大多数工艺仿真软件都是基于斯坦福大学在 1977 年建立的工艺工程模块，Stanford University Process Engineering Module ，缩写成 SUPREM 。所以很多核心的语句及算法都相 仿。但是随着工艺工程的发展，仿真模块也不断的改善以适应新的需求，最明显的是由以前 的二维仿真计算过度到三维。同时，新的技术的复杂性也需要完善专门的模块来应对，比如 Silvaco 公式针对离子注入、光刻、刻蚀等关键步骤，开发了 MC Implant 、Elite 、和 Optolith 等模块。 工艺仿真需要首先要建立一个仿真的空间。该仿真空间在计算机内表述成一个数组。该 数组一般可以是很多离散的点来表示空间上的分布。通常采用的方法是有限元方法。有限元 中，不同定点间的连线，构成了一个网格分布。而网格的疏密程度，则体现了计算的精确度， 也直接影响仿真结果的准确性。这个步骤一般是通过一组 LINE 语句实现的。 然后，需要从工艺的物理机制出发，述网格上的物理参数。对于 CMOS 半导体工艺 来说，最重要的是定义起始硅片衬底的杂质特性、参杂浓度、表面晶向等。这个步骤在 SUPREM 里是通过 INITIALIZE 语句实现的。 在建立工艺工程的模型，在仿真域中建立离散化的微分方程，并以时间为轴，分步求解。 半导体工艺中的最典型的过程是利用费克定律所建立的扩散模型[1]，体现在 SUPREM 语言 中的DIFFUSE 命令中。将在半导体掺杂扩散和热氧化工艺中运用到。 其他的关键工艺模型包括，淀积薄膜所用的 DEPOSITION ，刻蚀薄膜所用的 ETCH 等。 这些模型通常涉及很多与工艺条件相关的参数，但最简化的模型中只需定义淀积的材料和厚 度，及刻蚀的区域等。 最后，设计人员需要从计算结果中取感兴趣的参数，这个过程通过 EXTRACT 语句 实现。 1.3 实验 内容 在本次计算机仿真实验中，我们将先定义一个硅衬底，并用淀积语句在上面构建一层二氧化 中山大学理工学院 2014 年 10 月 陈晖,黄展云 [在此处键入] [在此处键入] 版本 0.1 硅薄膜，然后通过刻蚀语句在二氧化硅薄膜上打开一个窗口。通过这个实验熟悉一本语句后， 再进行构建一个更加复杂的结构。最后运用参数抽取语句对结构进行测量。 1.4 实验过程 （A ）操作实验 根据下表的实验过程内容，操作仿真软件并记录仿真结果和回答问题。 在操作实验的过程中，建议多做文件的备份。 在运行程序之前，可以尝试理解每个语句。现代计算机语言的一个特点就是可读性。Silvaco Athena 中的每行代码都以命令开头，且其命令在字面上可以解读。后续的参数也具有一定 的可辨识性。 请同学们同时如实记录下完成以下操作所使用的时间。该时间只作教师评估实验任务工作量 的参考，不作为评分标准。也请同学记录下程序报错的信息，以完善实验手册。 操作 观察记录 问题 1