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光电信息技术 常用参数： h:60626*10exp(-34)j*s 1. 物理基础 1.1能带理论：导带 价带 禁带 良导体：导带半满 绝缘体：导带全满 半金属：导带价带重叠 半导体： 1.2四大光电效应 1.2.1光电发射效应（外光电效应）：受到光照后向外发射电子的现象 金属 金属氧化物 光电倍增管 光电管 三大定律： 第一定律 光强 当入射光频谱成分不变时，光电阴极的饱和光电发射电流Ik与被阴极吸收的光通量成正比，即光发射电流=Sk*光通量 第二定律 频率 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高二线性增大，而与入射光的光强无关，即光电子发射的能量关系符合爱因斯坦方程 光子能量=动能+逸出功 第三定律 红限 当光照射某一给定金属或者物质时，无论光强如何，如果入射光的频率小于这一金属红限V就不会产生光电子发射。 V=逸出功/h 瞬时性:延迟时间小于3-10exp（-13）s，无惯性，很高的频响 1.2.2光电导效应：受光照改变电导率，（最早发现的光电现象）光敏电阻 半导体 绝缘体：硒 本征光电导：电子或者空穴成对出现 杂质光电导：只产生电子或者空穴 长波限 1.24（um）1240（nm） 三个参数： 灵敏度 ：一定光强下光电导的强弱，电光增益G表示。 弛豫时间短，则定态灵敏度越低 弛豫时间长 则定态灵敏度越强 弛豫 ：光照射到样品后，光电导逐渐增加，最后达到定态，光照停止，光电导甾一段时间内逐渐消失。光电导上升或者下降的时间就是弛豫时间。 光谱分布： 本征光电导的光谱分布 光电导的数值降到最大值一半时所处的波长为长波限 长波长，光电导迅速下降，短波长 杂质光电导的光谱分布 半导体杂质吸收光子产生光生载流子，光子能量大于杂质电离能。 杂质光电导逼本征光电导微弱的多 1.2.3光生伏特效应：（需要一个结）PD （光敏二极管） 太阳能电池 原理：光照引起电动势的现象（发生与半导体的界面） 半导体界面有三种：1.PN结 2.金属和半导体接触界面（肖特基结） 3. 不同半导体（异质结界面） 金属-绝缘体-半导体 自建电场：方向N区指向P区——光照产生电子空穴对——扩散产生光致电流——使N区积累负电荷 P区积累正电荷，引起方向与光致电流相反的N结正向电流——电势差=光致电流，此时电势差称为开路电压——外电路连接PN ，产生电流=光致电流=短路电流 光生电压随光强的增加而增大 定义：光照引起电动势的现象 1.2.4热释电效应：温度改变极化强度 定义：晶体的电极化强度随温度变化而释放表面吸附的部分电荷，只能发生在不对称晶体中。 原理：极化强度与温度有关，温度变化时，极化强度的改变而释放出表面吸附的部分电荷，具有热释电效应的晶体称为热电体。 1.3 光学元器件 1.3.1 透射元器件（成像） 正透镜 负透镜 柱面透镜 放大镜 目镜 物镜 场镜 1.3.2反射元器件（改变光的方向） 平面反射镜 球面反射镜 分数元件 光锥 1.3.3其他元器件 1.光楔 2.干涉滤光片 3.偏振片 1.4光调制 1.4.1光强度调制 光强度调制以光的强度作为调制对象，使直流或者缓慢变化的光信号换成较快频率的光信号 调制盘 利用电磁感应的机械调制 受抑全反射调制器 移动光轴的调制器 正弦波形调制器 1.4.2光相位调制 1.利用干涉现象 对光程差或者相位差进行调制 2.利用声光效应 光波在传播时被超声波衍射的现象叫做声光效应 1.4.3光偏振调制 1.利用偏振光振动面旋转，实现光调制最简单的方法用两块偏振器相对转动，马吕斯定理 2.电光效应 电致旋光效应 克尔效应 泡克耳效应 3.磁光效应 法拉第旋光效应 科登穆勒效应 1.4.4频率和波长调制 1.频率调制 光学多普勒频移 v=v1-v2c2(1+vccosθ) 2.波长调制 利用热色物质的颜色变化进行波长调制 利用磷光（荧光）光谱的变化进行波长调制 利用黑体辐射进行波长调制 利用滤光器参数的变化进行波长调制 2.电光信息转换 2.1 发光二极管 LED 2.1.1半导体光源的物理基础 （1）受激吸收 hv=E2-E1 电子吸收光子 由E1能级跃迁到E2能级 （2）自发辐射 发光二极管 高能级E2自发跃迁到低能级E1上 并释放一个能量为hv=E2-E1的光子 非相干光 （3）受激辐射 半导体激光器 高能级E2上的电子，受到入射光作用，释放一盒能量为hv=E2-E1的光子 相干光 产生的光子能量与入射光子相同，相位 偏振 传播方向也相同 K555=683流明/瓦 功率为1瓦，波长555nm的单色辐射对三种视觉都具有683流明的光通量。 2.1.2两种分布 波尔兹曼统计分布： 费米狄拉克分布的E远大于Ef的特殊情况: N2N1=exp?(-E2-E1k