SOISiGeHBT集电结渡越时间模型研究-微电子学.PDF

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 5 Vol.45 No.5 年 月 2015 10 Microelectronics Oct.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 ·模型与算法 · SOISiGeHBT集电结渡越时间模型研究 , 13 1 1 2 3 , , , , 徐小波 王晓艳 李艳波 胡辉勇 葛建华 ( , ; 1.长安大学 电子与控制工程学院 西安 710064 , ; 2.西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带教育部重点实验室 西安 710071 , ) 3.西安电子科技大学 通信工程学院 ISN国家重点实验室 西安 710071 : , , 摘 要 根据器件实际工作情况 找出 器件与传统器件的不同 建立并研究了 SOI SOISiGe 。 , 、 、 , HBT集电结渡越时间模型 结果表明 模型与集电区掺杂浓度 集电结偏置电压 传输电流有关 , 。 。 电流的增加恶化了渡越时间 进一步恶化了器件性能 所建模型与仿真结果一致 SOISiGeHBT , , 集电结渡越时间模型的建立和扩展为SOIBiCMOS工艺的核心参数 如特征频率的设计 提供了 有价值的参考。 : ; ; 关键词 HBT 渡越时间 绝缘体上硅 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201505-0681-04 ResearchofBCJunctionTransitTimeModelforSOISiGeHBT , 13 1 1 2 3 , , , , XUXiaobo WANGXiaoan LIYanbo HUHuion GEJianhua y y g