回顾复习(一)课件.ppt

* 第二章 传统光源材料—电介质材料 2.5.2 电介质材料的结构和性质—极化过程 电介质的基本特性是在外电场作用下产生极化，当外电场超过某极限值时，电介质即被击穿而失去介电性能。 无极分子极化过程：在外电场作用下产生感应电荷，外电场撤消后，正负电荷中心重合而恢复原状。 有极分子极化过程：外电场不存在时，正负电荷不重合。如水、有机玻璃等。 * 第二章 传统光源材料—玻璃 2.5.3 玻璃—电光源常用玻璃 玻璃是电光源工业用得最多的材料，主要用来制造玻壳（管）、芯柱、排气管、灯具面罩等。 作为光源玻璃材料，应具备如下性质： 1、良好的气密性—保证真空或工作气体不会外逸或被污染 2、良好的透光性—透射率越高越好 3、良好的封接性能—外壳与金属引线封接且须是气密性的 4、良好的化学稳定性和热稳定性 5、良好的电气绝缘性能—保持足够高的电阻率和低的介质损耗 6、良好的加工性能且易于除气 白光LED光源器件根据制作过程可分为前段材料生长，中段芯片制备和后段器件封装。 前段过程包括衬底和外延片的生产与制造，这是整个LED产业链的制高点，也是实现白光LED照明的起点。 半导体产业：光源系统设计（灯具设计）；照明检测；照明设计 半导体照明光源制作流程 * 半导体发光材料体系 按照材料的化学成分和结构特性可将半导体分为元素半导体、化合物半导体和合金半导体。 化合物半导体（Compound Semiconductor）是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。 大多数的化合物半导体主要是由Ⅲ族元素和Ⅴ族元素两种化学元素组成，如：InGaN，AlP, AlAs, GaAs, InP, InAs等。 * 典型的元素半导体 材 料 直接/间接带隙 禁带宽度（eV） 元 素 C（金刚石） Si Ge Sn 间接 间接 间接 间接 5.47 1.12 0.66 0.08 III-V族化合物 GaAs InAs InSb GaP GaN InN 直接 直接 直接 间接 直接 直接 1.42 0.36 0.17 2.26 3.39 0.70 IV-IV族化合物 α-SiC 间接 2.99 II-VI族化合物 ZnO CdSe ZnS 直接 直接 直接 3.35 1.70 3.68 * 发光二极管典型材料 GaN-氮化镓LED和InGaN-氮化铟镓LED （※） 属于Ⅲ-Ⅴ族化合物的GaN材料的研究与应用是如今全球半导体研究的前沿和热点，是制备微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。 GaN半导体材料具有宽直接带隙（3.39 eV）、强化学键、高热导率、化学稳定性好及强的抗辐照能力等特点。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有广阔的前景，被称为第一代硅锗半导体材料和第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 * InGaN/AlGaN双异质结蓝光LED结构示意图 * 外延的概念 外延（Epitaxy）顾名思义就是“向外延伸”，是一种特殊的薄膜生长，特指在单晶衬底（基片）上生长一层与衬底晶向相同或相近的单晶层。 在衬底上沉积的单晶层被称为外延薄膜或外延层，沉积过程被定义为外延生长。 外延薄膜沉积在具有相同组分和结构的衬底材料上的过程称为同质外延，反之则为异质外延。 * 异质外延与晶格畸变 衬底/a0 外延层/a (I) (II) a=a0 外延层/a 衬底/a0 外延层/a 衬底/a0 aa0 aa0 晶格匹配 晶格畸变 晶格畸变 (III) 衬底材料与外延层晶格匹配与晶格畸变 * 三、外延技术 2. 典型的外延技术 实现半导体材料外延的技术主要包括：气相外延（VPE, Vapor Phase Epitaxy），液相外延 （LPE, Liquid Phase Epitaxy），固相外延（SPE, Solid Phase Epitaxy）和分子束外延（MBE, Molecular Beam Epitaxy）。 根据前驱物的不同，气相外延又被分为氢化物气相外延 （HVPE）和金属有机化学气相沉积 （MOCVD）。 金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术是LED外延片生长的主流技术。 * GaN基外延片的生长 衬底材料的选择 ： （1）衬底与外延薄膜的晶格匹配 晶格匹配包含两个内容：首先是外延生长面内的晶格匹配，即在生长界面所在平面的某一方向上衬底与外延薄膜的匹配；其次是沿衬底表面法线方向的匹配； （2）衬底与外延薄膜热膨胀系数的匹配 热膨胀系数的差异将导致外延薄膜质量下降，在器件工作中还会由于发热造成器件损坏； （3）衬底与外延薄膜化学稳定性匹配 衬底材料需要有良好的化学稳定性； （4）衬底材料成本可控，易于制备。 GaN基外延片的衬底商品化成熟