三元合金异质结(AlP)GaP和(GaP)GaP的价带带阶.PDF

第 14 卷第4、5 期 　计　　算　　物　　理　　 Vol.14, No.4-5 　 1997 年9 月 CHINESE JOURNA L OF COMPU TATIONAL PHYSICS 　　　Sep., 1997　 三元合金异质结(AlP)(Si ) /GaP 和 x 2 1-x (GaP)(Si ) /GaP 的价带带阶＊ x 2 1-x 蔡淑惠　郑金成　王仁智　郑永梅 (厦门大学物理学系, 　361005) 摘　要　 用基于LMTO-ASA 的平均键能计算方法和原子集团展开方法, 研究了两组晶格匹配三元合金异质 结(AlP)(Si ) /GaP 和(GaP)(Si ) /GaP 的价带带阶ΔE (x )值。研究表明, 两组异质结的ΔE (x )值随 x 2 1-x x 2 1-x v v 合金组分 x 的变化都是非线性的, 且表现出非单调的关系。 关键词　半导体异质结　价带带阶　平均键能 中图分类号　O471 0　引　言 半导体异质结界面两侧价带带阶ΔEv 值(即valence-band offsets)是决定量子阱、超晶格电子态的重要物 [1—7 理量。有关元素或化合物半导体异质结的ΔE v 值, 国际上已经研究很多 ], 但合金型异质结的ΔE v 值的 理论研究工作还很少。 本文 用 LMT O-ASA 能带计算方法, 计算了三元合金(AlP)(Si ) 和(GaP) l 2 4-l l (Si ) 在l=0, 1, 2, 3, 4 时的五个有序态的能带结构和平均键能E , 在此基础上应用原子集团展开和平均 2 4-l m [8,9] 键能相结合的方法 , 研究了三元合金价带带阶参数E mv (x )随合金组分的变化关系;然后以平均键能为参 考能级, 分析了晶格匹配三元合金异质结(AlP)(Si ) /GaP 和(GaP)(Si ) /GaP 的ΔE 值, 并将所得 x 2 1-x x 2 1-x v 计算结果与实验结果进行比较。 1　合金有序结构的平均键能Em 研究 本文 用基于局域密度泛函理论的线性 M ffin-Tin 轨道(LMT O)方法对三元合金(AlP)(Si ) 和 l 2 4-l (GaP)(Si ) (l=0, 1, 2, 3, 4 等五个有序态)进行能带计算, 由得到的能量E (k )计算晶体的成键态能量 l 2 4-l n E b 、反键态能