决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素-光子学报.PDF

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2017-05-27 发布于天津
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决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素-光子学报

27 10 V o 1. 27 N o . 10 1998 10 A CT A PHOT ONICA SIN ICA O ctober 1998 A lG aInP 王国宏　彭怀德　马骁宇　王树堂　李玉璋　陈良惠 ( , , 100083) 影响发光二极管光提取效率的主因素有出光表面状态、上电极和体内吸收. 对于 A lG aInP 高亮度发光二极管体内吸收主是衬底和发光区的吸收. 一般采用出光表面粗化、窗口层、D BR反射器等措施来提高光提取效率. 本文以自发辐射随机分布模型为基础, 以 A lG aInP 高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据, 从理论上分析了这几种主措施对光提取效率的影响 . A lG aInP 高亮度发光二极管; 光提取效率 0 , . . c ( n= 3 . 2 , = arcsinn- 1= 18. 11 ) . A lG aInP , 1 80% , , A lGaInP . A lGaInP p , p GaA s . 2 3 ( DBR) 4 . , D BR . 1 1 A lGaInP 1 , ( DH ) ( M QW) , ( x 1- x ) 0. 5 0. 5 , A l Ga In P p n ( A l0. 7 G a0. 3 ) 0. 5In0. 5 P , A l- GaA s , A l- GaA s D BR . 1 1) , , . 2) . 3) 1Al G aInP 收稿日期 1998—05—20 Fig . 1T yp ical Stru cture o f A lG aInP L E D 10 . A l GaInP 953 . 4) , . , ( DBR ) . , , . . , 0 . 5 A c P0 = dA 0 Bint T ( ) co s( ) 2sin ( ) d= BintA 0 T ( 1) 0 S c T = 0 T( ) sin( 2) d, Bint ( cm - 2s- 1sr- 1) , A 0 2