凡二-电子与信息学报.PDF

第 卷 第 期 电 子 与 信 息 学 报 , 年 月 江 存在深 级 有 部分离 杂质被 深 所 偿 所 在 耗尽 区 中有效空 间 电荷密度 赠 应为 蹭 二 屿 一 服 屿 一 凡 其 中 是施 主 的杂质浓度 , 兀 是深 能级补偿密度 , 凡 二 川 在 能 杂 补 的 下 , 用 突 结近 , 虑 到器 在 和 区 的沟 长度 制 深 级 质 偿 条件 运 变 似 再考 件 饱 道 调 效应 , 则器件实 际饱和 区 电流 抚 应为 巧 二 一 △ 其 中 △ 为沟道长度缩短量。 在实 际 的 中, 源接触 电极与沟道源之 间 , 漏接触 电极与沟道漏之 间有着 串联 电阻 。 和 当漏 电流 与 流过 和 时, 会在其上产生 附加压 降 肠 十 动 另外 , 上 的压 降相 当于在栅上加 了一个栅偏 压 与 在 晶体结构 中, 杂质原子处于不 同的位置会有不 同的 电离能 “一 , 在掺 的