微电子器件(3-9)BJT小信号.pptVIP

* 3.9 高频小信号电流电压方程与等效电路 推导步骤 首先利用电荷控制方程得到 “ i ~ q ” 关系，然后再推导出 “ q ~ v ” 关系，两者结合即可得到 “ i ~ v ” 方程。 本节以均匀基区 NPN 管为例。 （并推广到高频小信号） 先列出一些推导中要用到的关系式： 3.9.1 小信号的电荷控制模型 ( i ~ q 关系 ) 参考方向：电流均以流入为正，结电压为 vBE 和 vCB 。 基极电流 iB 由以下六部分组成： 晶体管中的各种电荷为 (2) 由基区注入发射区的少子形成的 ipE ，这些电荷在发射区中与多子相复合，故可表示为 (1) 补充与基区少子复合掉的多子的电流 (4) 当 vCB 变化时，对 CTC 的充电电流 (5) 当 qB 变化时，对 CDE 的充电电流 (6) 当 qE 变化时引起的电流 。这部分电流可以忽略。 (3) 当 vBE 变化时，对 CTE 的充电电流 其中基区少子的小信号电荷 qb 又可分为由 vbe 引起的 qb ( E ) 和由 vcb 引