微电子工艺——5外延与SOI_955706029.pdfVIP

微电子工艺技术 第五讲 单项工艺 薄膜制备技术3-外延与SOI 钱 鹤 清华大学微电子研究所 为什么要外延(Epitaxy)?  为一些特殊器件提供所需的材料结构,通常是化 合物半导体器件,如HBT, HEMT, LED, 他们需要 各种异质和超晶格结构;  在Si衬底上生长的外延层可大大减少缺陷密度, 可”随意”改变搀杂型号和浓度,应用在Si CMOS 电路和功率器件中;  CMOS进入亚50nm后, “应变沟道”成为一个重要 的结构. 三种外延过程 共度生长 不共度生长 赝晶生长 几种主要的外延手段:  气相外延(Vapor-phase epitaxy) - AP-VPE - LP-VPE  液相外延(Liquid-phase epitaxy)  分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)  有机金属氧化物气相外延(Metal-organ