半导体器件非线性器件二极管.PDF

半导体器件 非线性器件 二极管 绪论 二极管是有两个端子非线性器件，其 V-I 特性与端子极性有关，且为非线性。虽然二极 管的非线性增加了电路设计和分析的复杂程度，但是二极管的非线性以及极性特性在电路设 计中既有趣又有用。 图 1 是二极管的基本电路符号，与电阻不同的是（电阻的两个端子没有极性的区别）， 二极管的特性是由其端子的极性决定的。 图 1．二极管电路模型 图 1 也给出了二极管两端的所加电压极性以及通过二极管的电流方向。 根据二极管所加电压 Vd 极性的不同，二极管有以下两种工作状态： 正向偏置，（Vd0 ），阳极电压高于阴极电压，或者 反向偏置，（Vd0 ），阴极电压低于阳极电压。 22.071/6.071 2006 年春季, Chaniotakis and Cory 二极管模型 理想二极管模型 考虑和分析理想二极管模型能够使我们对这些非线性器件的基本特性有所了解，有助于 我们分析包含二极管的电路。 当然二极管模型的讨论涉及到其伏安（V-I ）特性的数学和图形表达，理想二极管 V-I 特性以及符号如图 2 所示。 图2 ．理想二极管的V-I 特性（a ）和符号（b ） 当反向电压加到二极管两端时，流过二极管的电流为零，当流过二极管的电流大于零时， 二极管两端的电压降为零。 从图 2 中可以明显的看出二极管的非线性特性。 这种简单模型显示了理想二极管特性，但是缺乏重要的细节部分。下面我们将讨论一个 二极管的真实模型。 22.071/6.071 2006 年春季, Chaniotakis and Cory 实际二极管模型 二极管是由位于元素周期表的第 IV 列的硅或者其他元素构成的半导体器件，像硅和锗 一样的物质的导电性比较差。在硅中掺杂一点位于周期表中第Ⅲ列（比如硼－B）或者第Ⅴ 列（比如磷－P）的元素，会极大的提高硅的导电性。导电性的变化是跟在这种物质里面移 动的自由电子密切相关的。 硅中的电子由于其晶体结构而紧紧的束缚在一起，如果在硅中添加磷（第Ⅴ列），则在 这种晶体结构中增加了另一种电子。这种“额外”电子不参与晶体结构的维持，因此这个电 子有相当大的自由可以在半导体中从一个位置移动到另一个位置。掺杂了第Ⅴ列元素的物质 被称作“n 型半导体”，表示自由移动的电荷—电子。 如果在硅中添加第Ⅲ列元素（Ba,Al,Ga ），那么其晶体结构会缺少一个电子。这种缺少 电子的地方看起来像一个多余的正电荷，被称作空穴。电子可以很容易移动到这个空穴里来， 而这个电子移动之前的位置将会形成一个新的空穴。这些空穴的移动看起来像正电荷的流 动。因此，被添加了第Ⅲ列元素的硅被称作为“p 型半导体”，表示正电荷—空穴。 如图 3 （a ）中所示，在硅中构造p 和 n 区域就制成了二极管。图 3 （b ）中展示了二极 管的符号以及相应 p 和 n 区域。p 和 n 区域的交界处被称作p-n 结。 图3 ． 22.071/6.071 2006 年春季, Chaniotakis and Cory 一个二极管（实际模型）的电压 Vd 和其电流 Id 之间关系的数学如下： ⎡ ⎛Vd ⎞ ⎤ Id Is ⎢exp⎜⎜V ⎟⎟−1 ⎥ (1.1) ⎣ ⎝ T ⎠ ⎦ 其中用来描述二极管特性的参数 Is 和 VT 是常量，Is 为反向饱和电流，它与二极管电压 −12 kT 无关。对于硅二极管来说，Is 为10 A 或者更少。V T 被称为温度的电压当量，V T ≡ q （k ＝玻尔兹曼常数，T=温度，q ＝电子电荷量）。室温下V T