天線的近場直接調製.PDF

天線的近場 直接調製 Aydin Babakhani, David B. Rutledge, Ali Hajimiri 基於矽片技術的現代化工藝通過使晶體管的截止頻率 fT 可以高於 200GHz 而為設計高度集成化的毫米波系 統開闢了眾多的機會[1]-[5]。在毫米波頻率上，波長 與芯片的尺寸相當。這便啟發人們將輻射元件與有源 電路器件在同一塊矽片上進行集成。雖然，將毫米波 系統集成在矽基片上降低了成本，改善了可靠性，但 還是必須要致力於所面臨的一些挑戰[[1]，[2]。由於 製造有源器件所施加的一些限制，矽基片的基片電阻 率必須非常小（~1-10Ωcm ）。這種低電阻率會使得 在基片上產生能量損耗，降低了未經屏蔽的在片無源 器件如電感器，傳輸線，和天線的品質因數 Q，從而 導致了功率效率和抗噪聲性能的劣化。金屬結構有限 的導電率會在集成系統中引起更進一步的能量損耗， 因為在毫米波頻率上，趨膚深度變得很小（例如，在 60GHz 時，銅的趨膚深度大約是 300nm ），金屬結構 中的歐姆損耗明顯地提高了，使得無源器件的性能變 差。 隨著晶體管變得越來越小，速度越來越快，它們 的擊穿電壓變得很低，從而在集成系統中為功率的產 生帶來一個重大的挑戰。不再要求具有高電壓擺幅的 ©EYEWIRE 單個放大器模塊，更有前途的方法是將多個具有較小 電壓擺幅的放大器單元並聯連接，將它們各自的輸出 NFDAM 用於概念驗證的 60GHz 芯片的實施情況。 功率進行合成。 將許多高性能晶體管和與波長尺寸相當的用於在 毫米波集成天線 片輻射器的在片金屬結構組合起來，正在使毫米波和 在矽基片上設計在片天線的一個主要挑戰是矽的高介電 亞毫米波收發機和天線設計發生著革命性的變化。 常數（εr = 11.7 ）。為了理解介電常數的重要性，將一個 在這篇文章中，我們討論了毫米波集成天線的設 簡單的偶極天線放置在空氣和介質的半無窮大區域邊緣， 計，介紹了天線近場直接調製( NFDAM )， 以及基於 __________________________________________________________________________________ Aydin Babakhani, David B. Rutledge, and Ali Hajimiri are with California Institute of Technology, Pasadena, California 91125 USA. 36 IEEE microwave magazine February 2009 36 IEEE microwave magazine February 2009 如圖1所示。耦合到空氣和介質中的功率百分比描繪在 為了理解介電常數的重要性，將一個簡單 圖2 中。曲線結果表明當矽基片的介電常數εr = 11.7 时， 95% 以上的能量被輻射進入了矽片而不是空氣中。 的偶極天線放在空氣和介質的半無窮大區 為了避免將信號耦合進入矽基片，採用接地平面似 域的邊緣 乎有可能解決這個問題。有兩種途徑，一種途徑是採用 最底層的金屬層（例如M1 ）來作為在片接地平面，而將 在片天線放在最頂部的金屬層上。遺憾的是，在今天的 被用來照射接收機一端的在片偶極天線：用球