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快离子导体的制备-无机材料学报
第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 ,
年 月 ,
一 一
文章编号 一
纳米 一 快 离子 导体 的制备
甄 强 , , 何伟 明 , 刘建 强 , 潘庆 谊
上 海 大 学材 料 学院 , 上 海 上 海 大 学纳 米 中心 , 上 海 上 海
大 学理 学院 , 上 海
摘 要 以共沉淀法制备 的纳米 混合 粉体作为原料 , 通 过 无
压反应烧结工艺制备 了纳米 一 快离子导体 对烧结过程 中高导 电相 纳米 尔
的形成规律研 究表 明 固溶反 应 发生在烧结过 程 的初期 , 在烧 结过 程 中晶粒 生长规律符合
· ·
。
一 抛物线方程 用模式识别技术对 手 相生成 的工艺条件进行优化 的工艺
一 , 一 , ,
参数优化 区为 亡 式 中
为烧结温度 , 为烧结时 间 在 , 亡 无压反应烧结条件下 , 纳米 晶 一
快离子导体材料 的相对密度 可达 以上 , 并且微观结构致密均匀 , 很少有残 留气孔和裂纹 ,
平均 晶粒尺 寸在 以下
一
关 键 词 共沉淀法 , 无压反应烧结 纳米 晶 快离子导体 工艺优化
中图分类号 文献
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