新型氮化物半导体材料.PDF

Frontier 前 沿 新型氮化物半导体材料 ■ 李思一 编译 硅材料作为电子产业的基础，数 大，可以有效吸收太阳辐射中的不同 无线通信大大提速。 十年来一直是信息经济发展的实质动 光谱的光子，大大提高了太阳能电池 氮 2、智能电网中的高功率传输。 力。随着电子器件尺寸的缩小和处理 的光吸收 效率。硅半导 体的带宽是 化物电子器件具有同时耐高电压和高 速度的加快，晶体管尺寸已经迫近极 1.1 电子伏，而氮化铟是 0.6 电子伏， 电流的特性，因此适于制作智能电网 限，探索新的物理机制与结构来缩小 氮化镓是 3.4 电子伏，氮化铝是 6.2 中的高功率传输用的电极。康奈尔大 硅晶体管的线宽也只能延续 5~10 年， 电子 伏。 如 果 选 择 氮化 铟 镓 合 金， 学电子工程师伊斯特曼的研究组通过 找到替代材料，或开发纳米材料是当 就可调整 使 之吸收 0.6~3.4 电子 伏 在电极中加上二氧化铪绝缘层解决了 前电子技术进一步发展的核心问题。 间任 何一级 光能 ；如果 选择 氮化铟 造 成功率损失和器件失 效的漏电问 氮化物半导体材料最早是在光学领域 铝， 则可在 0.6~6.2 电子 伏 之间调 题，为氮化物在高功率输电的应用打 突破了硅材料的局限，未来的发展将 整，从而在设计新的光电子和电子器 开了缺口，有助于促进太阳能和风能 可能在某些特殊领域成为代替金属氧 件上有了更大灵活性。 并网。 化物半导体的新型电子材料。 氮化物半导体被誉为电子高速公 加州劳伦斯 3、高效太阳能电池。 路，其电子迁移速度大约是硅的 4 倍。 伯克利国家实验室瓦卢科维奇的研究 氮化物半导体的光学性能 氮化物还很坚硬，而且可耐高过硅电 组将氮化镓电池与标准的硅电池结合， 发光二极管（LED）是当前显示 子材料数百度的高温，因此氮化物晶 使之可吸收较宽范围的太阳能。该研 器和节能灯的技术支撑。16 年前，日 体管适用于汽车发动机、高电压的电 究组虽未测量这一组合的真正效率， 本日亚化 工公司的中村 发明了蓝 光 网等多种特殊电子器件。 但瓦卢科维奇说，该组合最终可比硅 LED，从而使 LED 能够与已有的红绿 阻碍氮化物半导体材料应用的瓶 电池提高 50% 的效率。 光整合形成白光，并于 1 8 年成功 颈是目前尚无适当的基底材料。近两 4、高精度化学传感器。氮化物 商业化。中村的 LED 是用氮化镓制成 年，波兰的 Ammono 氮化镓公司称， 比大多数其他化学传感 器材 料的化 的，氮化物在光学器件的应用从此不 他们利用在高压氨蒸气中的种子材料 学惰性高，却有更高的电子迁移率， 断发展，已经形成一个新兴产业。 生成了大块氮化镓基质。此项技术若 因此产生的噪声小，可监测到更弱的 200 9年， 德 国 和 日 本 的 研 究 能奏效，将是一项很大突破。 信号。佛罗里达大学化学工程师任某 人员报告 他们已经 用氮化铟 镓制成 的研究组在 2004 年制成第一批氮化 首 批 绿 色激 光 二极管， 从而向制成 氮化物电子材料四大最新进展 物传感器，为美国航天局用于监测氢 新一代小型全色放映机迈进了一步。