更加智能化的集成电路芯片.PDF

更加智能化的 集成电路芯片 Hermann Schumacher, Mehmet Kaynak, Vaclav Valenta, Bernd Tillack 用于微波和毫米波（mm-wave ）应用的硅（Si ） 们实现第一只 Si/SiGe HBT 后十年多一点点的时 集成电路芯片（ IC ） [ 单片微波集成电路 间于 1998 年上市的[1]。 （MMIC ）]现在是非常主流的了，与 20 年前当 硅很便宜，比 GaAs 要便宜，并且可以使得 GaAs 高高在上进行统治时的情形完全不同了。这 微波和毫米波系统的成本大幅度下降。[大多数 要归功于 CMOS 技术普及性所推动的极大发展而 GaAs MMIC 是采用赝晶高电子迁移率晶体管 且很大程度上要归功于 Si/SiGe （硅/硅锗）异质 （pHEMT ）制作的，而这里所说的硅指的是超小 结双极性晶体管（HBT ）的出现和其快速的市场 尺 度 （ Ultrascaled ） 的 RFCMOS 或 Si/SiGe 介入：这是第一个用于数字增强无绳通信 BiCMOS 技术。关于 Si 与 GaAs 相比更加经济实 （DECT ）无绳电话应用的 Si/Ge 芯片，它是在人 惠这个观点， 一般来说，对于所有这些不同的制 ______________________________________________________________________________________________ Hermann Schumacher (hermann.schumacher@uni-ulm.de) and Vaclav Valenta (vaclav.valenta@uni-ulm.de) are with the Institute of Electron Devices and Circuits, Ulm University, 89069 Ulm, Germany; Mehmet Kaynak (kaynak@) and Bernd Tillack (tillack@) are with the IHP GmbH, Leibniz Institute for Innovative Microelectronics, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt/Oder, Germany; Bernd Tillack is also with the Technische Univesität Berlin, HFT4, Einsteinuf er 25, 10587 Berlin, Germany . November/December 2012 Supplement IEEE microwave magazine S33 造技术都是正确的。]这是一个常见的断言，但却 器和一个双向矢量调制器）。人们在 2009 年的 是一个有问题的论点。超小尺度 Si 所伴随的是异 IEEE Microwave Magazine 中的一篇评论文章中总 常高的前期价码。对于样机制作，您也许可以通 结了用于相控阵应用的硅 BiCMOS 技术的优点 过多项目圆晶片（multiproject wafer-MPW ）运行 [3] 。作者用他们自己所做的工作做为一个例子， 和共享而避开这个价码，但是如果您要求进行一 深入地讨论了一个 8 - 信道 Ku 波段（12GHz）接 个完整的工程运行或进入预生产阶段，您也许会 收机芯片，这个接收机芯片包含了 8 个独立的接 发现，基于 Ga