模拟电子课件（第二次）.ppt

* * 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 课程引入： 1.什么是二极管的伏安特性？ 2.二极管的参数有那些？ 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 教学目标： 1.了解二极管的结构 2.掌握二极管的伏安特性 1.2 二极管的特性及主要参数 3.熟悉二极管的主要参数 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 重点难点： 1.二极管的伏安特性 2. 二极管的主要参数 1.2 二极管的特性及主要参数 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 一、二极管的结构 1、结构 由一个PN结构成 课程引入 教学目标 教学内容 （a）点接触型 （b）面接触型 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 一、二极管的结构 2、符号 N P 阳极 a 阴极 k 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 一、二极管的结构 3、分类 材料：硅二极管和锗二极管 用途：整流、稳压、开关、普通二极管 结构、工艺：点接触、面接触 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 一、二极管的结构 4、型号 2 A P 9 用数字代表同类器件的不同规格 代表器件的材料 2代表二极管，3代表三极管。 代表器件的类型 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 二、二极管的伏安特性 硅：0.5 V 锗： 0.1 V 导通压降 反向饱和电流 死区 电压 击穿电压UBR 锗 伏安特性曲线 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 二、二极管的伏安特性 1、正向特性 死区电压： 硅：0.5V 锗：0.1V 2、反向特性 正常工作时的管压降 硅：0.7V 锗：0.3V 反向电流由少子形成，因此反向电流一般很小。 小功率硅管：小于1微安；小功率锗管：几十微安 课程引入 教学目标 教学内容 第1章 半导体二极管 重点难点 思考练习 1.2 二极管的特性及主要参数 二、二极管的伏安特性 结论： 二极管是非线性元件 二极管具有单向导电性 3、反向击穿特性 反向击穿：外加电压达到一定数值时，在PN结中形成强大的电场，强制产生大量的电子和空穴，使反向电流剧增； 课程引入 教学目标 教学内容