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离子注入报告 摘要：离子注入技术是把掺杂剂的离子引入固体中的中一种材料改性的方法。由于离子注入具有纯净掺杂、大面积均匀注入、离子注入掺杂深度小、衬底温度可自由选择以及掺杂离子浓度不受平衡固溶度的限制等特点，注定了离子注入技术在半导体材料与器件方面有着重要的研究作用以及应用。简要介绍了离子注入技术的概念及基本特点。对离子注入基本原理及广泛应用做了详细阐述。 离子注入技术 1.离子注入技术的概念 离子注入技术是将某种元素的原子进行电离，并使离子在电场中进行加速，获得较高的动能后，射入固体材料表层，以改变这种材料表层的物理或化学性能的一种技术。离子注入技术最重要的应用领域是半导体掺杂，它是利用离子注入机将特定的杂质原子以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终形成晶体管结构。 2.离子注入的基本特点①纯净掺杂,离子注入是在真空系统中进行的,同时使用高分辨率的质量分析器,保证掺杂离子具有极高的纯度。②掺杂离子浓度不受平 衡固溶度的限制。原则上各种元素均可成为掺杂元素，并可以达到常规方法所无法达到的掺杂浓度。对于那些常规方法不能掺杂的元素,离子注入技术也并不难实现③注入离子的浓度和深度分布精确可控。注入的离子数决定于积累的束流，深度分布则由加速电压控制，这两个参量可以由外界系统精确测量、严格控制。④注入离 子时衬底温度可自由选择。根据需要既可以在高温下掺杂，也可以在室温或低温条件