量子码方式图象压缩解码专用芯片-西安理工大学科技处.doc

SiGe器件与集成电路 硅器件与集成电路技术作为电子工业的发展主流已经取得了巨大的成功。然而随着集成电路的超高速化的发展，硅材料的局限性开始显露。因此出现了砷化镓集成电路，它虽然提高了电路的频率，但与成熟的硅工艺不兼容而受到限制。SiGe新材料的出现对利用强大而成熟的硅工艺制作超高速集成电路带来了生机。SiGe 材料由于禁带带隙可由Ge含量调节和易于与硅工艺兼容等优点，被广泛用于高频双极型晶体管（HBT）、MOSFET 和MODFET的制作。同时还扩展了硅在光电子领域的应用前景。作为申请人的博士论文工作，从92年起开展用SiGe材料作光波导及电光调制器与电光开关的研究，曾得到国家自然基金项目（编的资助，已分别在美国物理学会主办的著名刊物Applied physics Letters和英国的Electronics Letters以及中国物理快报发表多篇学术论文。 随着电力电子技术应用中主开关器件工作频率的不断提高，对功率二极管性能要求低正向压降、高反向电压、小反向漏电流、快开关速度、低运行损耗和低温度敏感性，还要具有软恢复特性。多年来硅P-i-N 二极管一直在这方面扮演着主要角色。为了降低由于频率升高引起的器件开关损耗，一般采用少子寿命技术（掺铂、辐照等）来降低存储电荷Q，但是该技术在降低存储电荷的同时，会增加器件的通态压降Vf和反向漏电流Ir。不能改善三个