扩散前的表面处理.pptVIP

硅片扩散前的表面准备 无锡尚德太阳能电力有限公司 (SUNTECH POWER CO., LTD.） 邵爱军 2003年7月 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 概述：金属杂质对电池性能的影响 工艺过程与工艺条件 清洗液浓度的检测与调整（三）氢氟酸（HF）浓度的检测 清洗液的组成和更换 清洗液的组成和更换（续） 目 录 化学清洗用主要设备的操作规程 （清洗机，甩干机） 概述 化学腐蚀液的配制 工艺过程和工艺条件（操作示范） 各化学清洗液的浓度检测，调整 注意事项 概 述 形成起伏不平的绒面，增加硅片对 太阳光的吸收 去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 硅片表面处理的目的： 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 硅片 机械损伤层（10微米） 概述：表面织构化 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 充分洁净硅片表面 清洗硅片表面残留HCl 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅片表面残留NaOH 清除表面油污,去除机械损伤层 作用 纯水 喷淋 纯水 65克/升HCl 纯水 40克/升HF 纯水 纯水 纯水 300克/升NaOH 80℃ 溶液组成 9 8 7 6 5 4 3 2 1 注：纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水 化学腐蚀液的配制 单晶硅片的清洗和制绒 九槽清洗机 超声波清洗 单晶硅片的表面油污比较严重，需要在60℃清洗剂的水溶液中， 利用超声波震荡清洗15分钟。 充分洁净硅片表面 清洗硅片表面残留HCl 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅片表面残留制绒液 在硅片表面形成类“金字塔“状绒面 清洗硅片表面残留NaOH 清除表面油污, 去除机械损伤层 作用 纯水 喷淋 纯水 65克/升HCl 纯水 40克/升HF 纯水 20克/升NaOH酒精 80℃ 纯水 100克/升NaOH 80℃ 溶液组成 9 8 7 6 5 4 3 2 1 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层： HF去除硅片表面氧化层： HCl去除硅片表面金属杂质： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 8 3 8 3 5 5 25 1 5 单晶 8 3 8 3 5 5 1 5 6 多晶 9 8 7 6 5 4 3 2 1 各槽设定时间（分钟） 注：单晶硅制绒过程中，3号槽须用盖子密封，减少乙醇的挥发。 清洗液浓度的检测与调整 滴定管的使用以及滴定技术 滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。 清洗液浓度的检测与调整 （一）氢氧化钠（NaOH）浓度的检测 NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH×V NaOH ： M HCl×V HCl 其中M HCl已知，V NaOH=10毫升，V HCl通过测量可知，则未知的氢氧化钠溶液浓度M NaOH可以由计算得到。 M NaOH=0.11×M HCl×V HCl（克/升） 清洗液浓度的检测与调整 （二）盐酸（HCl）浓度的检测 NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH × V NaOH ： M HCl×V HCl 其中M NaOH已知为80克/升，V HCl=10毫升， V NaOH通过测量可知，则未知的盐酸溶液浓度M HCl可以由计算得到。 M HCl = 7.3×V NaOH NaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20 M NaOH×V NaOH ： M HF×V HF 其中M NaOH = 80克/升，V HF = 10 ml，V NaOH通过测量可知，则未知的氢