IGBT高压逆变器的抗干扰原理及设计规划.docVIP

IGBT高压逆变器的抗干扰原理与设计 摘??要： 简要描述了串联谐振式IGBT全桥逆变器的工作过程，重点分析了系统设计中的干扰与抗干扰原理，尤其针对受干扰危害性最大的IGBT触发电路，介绍了几种行之有效的抗干扰方法。 关键词： 逆变器；触发；干扰；抗干扰/绝缘栅双极晶体管 ? 　 ? 1、引言 　　随着大功率半导体技术的快速发展，尤其是IGBT和P-MOS器件的出现，使得各种高频大功率DC/DC变换器和变频器得以广泛应用。然而，由于频率和功率的增加，逆变器会对系统其它部件产生强的干扰。比如：在开发高频X射线影像诊断系统时，由于设备中既有模拟电路又有数字电路，既有TTL电平又有CMOS电平，既有小信号电路又有大信号电路（图像信号电流小到几个微安，逆变电流峰值高达100多安培），既有强磁强电的空间辐射干扰，又有高频高压脉冲的传导干扰。若不能有效地抑制这些干扰，会使图像受干扰而影响正常诊断，系统不能稳定工作或逆变器因瞬时短路而损坏。因此，在系统设计中，EMI和EMC是必须认真考虑的两个问题。2、串联谐振式高压逆变器的工作原理　　串联谐振式全桥高压逆变器的工作原理如图1所示。图中，交流220V经桥式整流和滤波得到约300V的直流电压，V1~V4构成一个全桥电子开关电路，VD1~VD4是对应的并联快恢复二极管，T1~T4是相应的IGBT触发电路，CS和高压变压器的漏感LS构