太阳能级多晶硅的制备.pptxVIP

太阳能级多晶硅的制备;目录;太阳能级多晶硅国内现状;太阳能级多晶硅国外现状;太阳能级多晶硅生产工艺;改良西门子法;;冶金法的发展过程; 冶金法利用硅与其中杂质物理或化学性质差异性使两者分离，从而达到提纯的目的。 技术路线主要围绕去除硅中的金属、硼及磷杂质展开。 金属杂质，尤其是复合金属杂质对硅太阳能电池的少子寿命、电子迁移率等都有很大影响 ，硼（Ｂ）、磷 （Ｐ）是太阳能电池的 Ｐ－Ｎ 节的构成元素，含量高会严重影响硅太阳能电池的性能。;1;一、单向凝固原理? 单向凝固的目的是为了使硅锭获得按一定方向生长的柱状晶或单晶组织（柱状晶组织有晶粒粗大、杂质偏聚、性能有明显方向性的特性）。要得到单向凝固组织需要满足以下条件： ??? 首先，在开始凝固的部位形成稳定的凝固壳。凝固壳的形成阻止了该部位的型壁晶粒游离，并为柱状晶提供了生长基础。（该条件可通过各种激冷措施达到。）其次，要确保凝固壳中的晶粒按既定方向通过择优生长而发展成平行排列的柱状晶组织。（该条件可通过严格的单向散热达到。） ;水平区熔法 ??? 水平区熔法主要用于材料的物理提纯，也用来生长单晶体。图为水平区熔法的示意图。这种方法与正常凝固法相比，其优点是减小了坩埚对熔体的污染，降低了加热功率，另外区熔过程可以反复进行，从而提高了晶体的纯度。 过程 水平区熔制备单晶是将材料置于水平舟内，通过加热器加热，首先在舟端放