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- 2017-05-30 发布于浙江
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电子元器件制造技术.
第二章 元器件制造技术;本章内容提要;半导体集成电路芯片制造技术;发展里程碑;发展里程碑;历史回顾;;集成电路的基本工艺;双极型晶体管制作工艺;硅片制备;硅片制备;硅片制备;制膜 ;氧化层生长;氧化层生长;氧化层生长;外延生长 ; 制备金属膜;图形转移-光刻;图形转移-光刻;图形转移-刻蚀;掺杂;集成电路;集成电路的工艺类型;器件工艺;双极型硅工艺;双极型硅工艺;
v 芯片的制造缺陷:引起成品率下降的主要因素
全局缺陷
几乎可以消除;
光刻对准误差、工艺参数随机起伏和线宽变化等;
局域缺陷
光刻工艺中引入的氧化物针孔缺陷等点缺陷;
控制随机点缺陷是相当困难;;集成电路的结构类型;混合集成电路PK印刷电路板
? 混合集成电路可比等效的印刷电路板体积小4~6 倍、重量轻10倍,但成本较高。
? 散热
混合电路中,大功率器件可以直接装在导热好的陶瓷基片???。
印刷电路板上要将元器件贴到电路板上,且用粘结剂粘上很重的散热板或使用金属芯的电路板。
混合集成电路PK半导体集成电路
? 混合电路设计容易, 成本更低,投产快,适合中小批量产品的生产。 ;混合集成电路工艺;The End;课堂习题
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