不同应变率下纳米多晶CuNi薄膜变形行为的分子动力学模拟.pdfVIP

Vo l. 43 No.3 第 43 卷第3 期 材料工程 2015 年 3 月第60-66 页 J口urnal of Materials Engineering Mar. 2015 pp.60-66 不同应变率下纳米多晶 Cu/Ni 薄膜 变形行为的分子动力学模拟 Molecular Dynamics Simulations of Deformation Behaviors for Nanocrystalline Cu/Ni Films Under Different Strain Rates 成聪1·2 ，陈尚达1 ， 2 ，吴勇芝1·2 ，黄鸿翔1.2 (1湘潭大学材料与光电物理学院，湖南湘潭 411105; 2 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室，湖南湘潭 411105) CHENG Cong1.2 , CHEN Shang-dal.2 , WU Y ong-zhi l. 2 , HUANG Hong-xiang l.2 (1 Faculty of Materials , Optoelectronics and Physics , Xiangtan University , Xiangtan 411105 , Hunan ,China;Z Key Laboratory of Low Dimensional Materials Application Technology(Ministry of Education) , Xiangtan University , Xiangtan 411105 , Hunan , China) 摘要:用分子动力学方法模拟了纳米多晶 Cu/Ni 薄膜在不同应变率下进行应变加载时的变形行为与力学性能。结果表 1 8 明 :Cu/Ni 薄膜在较高的应变率加载情况下具有较高的屈服极限和应变率敏感性(m) 。应变率为 10 s- Cu/Ni 多层 时 10 膜的界面上产生孔洞，而应变率为 10 S-1 时纳米多晶 Cu 薄膜出现碎裂。在较高的应变率加载条件下，Cu ， Ni 薄膜中 FCC , HCP， OTHER 原子团分数变化都很显著，而较小应变率时只有 Cu 薄膜的结构变化明显。模拟结果还表明，应变 率增加有利于堆垛层错的形成，但应变率超过某一值时无序原子团增加会阻碍堆垛层错原子团的生长。