下一代CMOS射频功率放大器.PDFVIP

下一代 CMOS 射频功率放大器 十年前，人们普遍接受的传统观点是，采用标准互补金 属-氧化物-半导体（CMOS ）技术来实现全集成化的瓦 特级别的功率放大器（PA ）是不可行的。今天，人们每 Ali Hajimiri 个月要向市场生产和发运上百万个这样的器件，这些器 件被用在全世界范围内上亿个移动电话中。从即使是最 乐观的学术界人士都认为是不可能的事情到今天已成为 人人都顺应的明显的未来趋势这种戏剧性的变化是通过 一系列的演示而产生的，而这种演示是在与人们半个多 世纪以来所采用的众所周知的功率放大器结构根本不同 的新结构的基础上完成的。 CMOS 技术在实施全集成化高功率射频功率放大器 时会遇到一些挑战，特别是其较低的晶体管击穿电压和 在片无源器件高损耗这种情况下[1]。然而，这些挑战可 以完全被CMOS 最强有力的王牌武器而制服：在实际设 __________________________________________________________ Ali Hajimiri (hajimiri@caltech.edu) is the Thomas G. Myers professor of electrical engineering at theCalifornia Institute of Technology (Caltech) and director of the Microelectronics Laboratory. 38 IEEE microwave magazine February 2011 图 1 恒定功率按比例进行的换算：相同的输出射频功率是如何通过不同的电压和电流水平来实现的。 计中，所使用的晶体管是没有数量限制的。这种可以在 面的损失可以通过拓扑结构的改善和器件尺寸的调整而 单个硅芯片上集成无数量限制晶体管的特性类似于一个 得到弥补。然而，现代化 MOS 晶体管的低电压应对能 蚁阵，当其齐心协力一起工作时，可以战胜化合物半导 力所带来的限制在功率放大器中更为严峻，并不容易处 体和模块技术这头“大象”。事实上，许多关于全集成 理，我们会在下面这个简单的例子中对此加以说明。 化 CMOS 功率放大器无法达到瓦特级别这种不准确预测 传递到负载 RL 上的交流功率 PL 与正弦信号源的电 所产生的根本原因是，过去这种预测是基于这样的假设 压幅值 Vamp 相关， 基础上的，即采用