基于51单片机电子密码锁设计规划.doc

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基于51单片机电子密码锁设计规划

一、设计目的 1.1课题简介 如何实现防盗,传统的机械锁由于其构造简单,被撬的事件屡见不鲜,电子锁其保密性高,使用灵活性好,安全系数高,广大用户。 图1 系统框图 2.2最小系统 1.单片机:单片机最小系统包括单片机、晶振电路、复位电路等,最小系统是整个系统的核心部分,也是设计中首先应该设计的部分,其中单片机的选择直接决定着之后整个设计应该如何进行, 因为我们刚刚学完单片机,学习时是以MCS-51单片机为主的,对51系列单片机最熟悉,因此决定选用51系列单片机, 51系列单片机中Atmel89C51应用最为广泛,且价格较低,性能完全能满足本次设计,因此决定选用AT89C51芯片。AT89C51外形及引脚排列如图外形及引脚排列AT89C51主要特性:   ·与MCS-51 兼容   ·4K字节可编程闪烁存储器   ·1000写/擦循环   ·数据保留时间:10年   ·全静态工作:0Hz-24MHz   ·三级程序存储器锁定   ·128×8位内部RAM   ·32可编程I/O线   ·两个16位定时器/计数器   ·5个中断源   ·可编程串行通道   ·低功耗的闲置和掉电模式 ·片内振荡器和时钟电路 图3 晶振电路 AT89C51中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器,引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈元件的片外石英晶体一起构成自激振荡器,晶振电路如图3所示。 石英晶体振荡电路对外接电容C2和C3虽没有十分严格的要求,但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程度,一般电容使用30pF±10pF,这里使用30pF的独石电容。 因此晶振电路中使用12M晶振,30pF独石电容。 3.复位电路 如图4所示为80C51单片机复位电路。结合实际需求,本次设计加入了手动复位。RC构成微分电路,在接电瞬间,产生一个微分脉冲,其宽度若大于2个机器周期,80C51型单片机将复位,为保证微分脉冲宽度足够大,这里取10μF电容、10KΩ电阻。若按下复位键,则C1被短路,R1两端电压为Vcc,产生的高电平时间足以使单片机复位 图4 复位电路 关于复位电路的计算如下: AT89C51的最低复位电平是0.7Vcc?? V1 为电容最终可充到的电压值 ??? Vt 为t时刻电容上的电压值 则, ??? Vt=V1[1-exp(-t/RC)] 即, ??? t = RCLn[V1/(V1-Vt)] 在C1充电到0.7Vcc前,R1上电压均大于0.7Vcc,即为有效复位电压,因此需要求充电到Vcc的时间。V1=Vcc,Vt=0.Vcc代入上式: 0.VCC=Vcc×[1-exp(-t/RC)] 即[1-exp(-t/RC)]=0.3; ?exp(-t/RC)=0.???∴- t/RC=ln(0.7) ?????∴t/RC=ln(1.43)??? ln(1.43)≈0.35 也就是t=RC。带入R=10?? C=10μF得。 t=10K×10uf=35ms ∵时钟周期T=1/f=1/12M=1μs ∴2个机器周期=2T=4μs ∴t>>2μs 所以复位电路中电容选10μF电解电容,10K电阻,一只按键开关可以使电路上电复位和手动复位。 4.存储器设定电路 最小系统电路的最后部分是存储器的设定,如果把31脚(EA)接地,则采用外部程序存储器,如果将其接Vcc,则采用内部程序存储器。AT89C51具有4KB可编程闪烁存储器本次设计的电源采用以前模拟电路课程设计做的直流稳压电源,电源采用LM7805三端稳压来组成稳压电源所需的外围元件少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78xx后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压,如lm780表示输出电压为正V, 图7 直流稳压源电路 电源电路如图7所示,220V市电通过变压器降压成12V的交流电,经过整流桥整流,再经7805稳压到5V。C1、C2和C3具有滤波功能,使电流更加稳定,保证了系统的稳定运行。 2.4键盘电路 本设计采用矩阵式键盘,又称行列式键盘,是将I/O线的一部分作为行线,另一部分作为列线,按键设置在行线和列线的交叉点上,行列线分别连接到按键开关的两端,当键按下时,两导线连通。这种设计能减少键盘与单片机I/O接线的数目,只需要N个行线和M个列线就可以实现N×M个键的操作,在按键比较多的时候,通常采用这种方法。其电路如图8所示:

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